Нагревание полупроводниковыми пленками. Полупроводниковая пленка

2.4 Полупроводниковые пленки. Тонкопленочные резисторы

полупроводниковая плёнка - это... Что такое полупроводниковая плёнка?

полупроводниковая плёнка

напівпровіднико́ва плі́вка

Русско-украинский политехнический словарь. 2013.

полупроводник
полупроводниковая техника

Смотреть что такое "полупроводниковая плёнка" в других словарях:

Конденсатор электрический — система из двух или более электродов (обкладок), разделённых диэлектриком (См. Диэлектрики), толщина которого мала по сравнению с размерами обкладок; такая система электродов обладает взаимной электрической ёмкостью (См. Электрическая… … Большая советская энциклопедия
Шотки диод — Шоттки диод, диод с барьером Шотки, Полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл полупроводник; назван в честь немецкого учёного В. Шотки, создавшего в 1938 39 основы теории таких диодов. При изготовлении Ш. д. на… … Большая советская энциклопедия
Подложка — Для улучшения этой статьи желательно?: Найти и оформить в виде сносок ссылки на авторитетные источники, подтверждающие написанное … Википедия
Фотография — (от Фото... и ...графия) совокупность методов получения стабильных во времени изображений предметов и оптических сигналов на светочувствительных слоях (СЧС) путём закрепления фотохимических или фотофизических изменений, возникающих в СЧС… … Большая советская энциклопедия
Микроэлектроника — область электроники (См. Электроника), занимающаяся созданием электронных функциональных узлов, блоков и устройств в микроминиатюрном интегральном исполнении. Возникновение М. в начале 60 х гг. 20 в. было вызвано непрерывным усложнением… … Большая советская энциклопедия
Планарная технология — планарный процесс (англ. planar, от лат. planus плоский, ровный), первоначально совокупность технологических операций, проводимых для получения полупроводниковых (ПП) приборов с электронно дырочными переходами (См. Электронно дырочный… … Большая советская энциклопедия
Диод Шоттки — У этого термина существуют и другие значения, см. Диод (значения). Условное обозначение диода Шоттки НЕ по ГОСТ 2 … Википедия
запоминающее устройство — (ЗУ), устройство для записи, хранения и выдачи (по запросу) информации, представленной обычно в цифровом коде. При записи информация преобразуется в электрические, оптические или акустические сигналы либо механические перемещения с целью… … Энциклопедия техники
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР — прибор для регистрации ч ц, осн. элементом к рого явл. кристалл полупроводника. Регистрируемая ч ца, проникая в кристалл, генерирует в нём дополнит. (неравновесные) электронно дырочные пары. Носители заряда (электроны и дырки) под действием… … Физическая энциклопедия
ЭКСИТОН — (от лат. excito возбуждаю), квазичастица, соответствующая электронному возбуждению в кристалле диэлектрика или ПП, мигрирующему по кристаллу, но не связанному с переносом электрич. заряда и массы. Представление об Э. введено в 1931 Я. И.… … Физическая энциклопедия

polytechnic_ru_uk.academic.ru

Полупроводниковая пленка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3

Полупроводниковая пленка

Cтраница 3

На подложку вначале наносится полупроводниковая пленка сульфида кадмия CdS ( или селенида кадмия CdSe, или арсенида галлия GaAs) - и выполняется необходимая термическая обработка. [31]

Известно очень много составов полупроводниковых пленок и способов их нанесения на поверхность стекла. Такие электропроводящие стекла характеризуются большим разнообразием электрических и светотехнических свойств. [32]

Самые типичные дефекты эпитакснальпых полупроводниковых пленок показаны на рис. 33, где ваш-я Лт еегольного изображена структура поверхности протравлен - дефекта упаковки. [34]

Эпитаксиальным процессом называется получение монокристаллических полупроводниковых пленок на монокристаллической основе, когда растущая пленка ориентирована в том же кристаллографическом направлении, что и подложка. [35]

Целью работы является получение полупроводниковой пленки сульфида свинца и последующая проверка ее фотопроводящих свойств. [36]

На изоляционную подложку осаждают полупроводниковую пленку толщиной не более 1 мк. Сверху наносят две металлические полоски, условно называемые катодом ( истоком) и анодом ( стоком), на расстоянии от 5 до 50мк друг от друга. Катод и анод изготовляются из металлов, которые дают омический контакт с полупроводником. [38]

Заряды, накапливающиеся на полупроводниковых пленках, нестабильны и могут блуждать по поверхности пленки. [39]

Следует также отметить, что полупроводниковые пленки могут образоваться не только в ионном источнике, но и в анализирующей трубке. Заряды, скапливающиеся на пленках в анализаторе, могут сильно влиять на разрешающую способность и чувствительность прибора вследствие дефокусировки ионного пучка или нарушения эквипотенциальное пространства дрейфа. Дефокусировка пучка происходит в результате взаимодействия блуждающих зарядов на пленках и зарядов ионного пучка. [40]

В последние годы развивается техника полупроводниковых пленок, которые могут быть применены не только в качестве нагревателей и термоэлектродов, но и термометров сопротивления. В настоящее время такие материалы еще нельзя рекомендовать как надежные для создания серийных расходомеров, но по мере совершенствования технологии полупроводниковых пленок они должны привлечь внимание при создании тепловых расходомеров. [41]

Другим важным достижением стала разработка высокоэффективных тонких поликристаллических полупроводниковых пленок, которые смогут заменить используемые сейчас дорогие монокристаллы. [42]

Изделие, которое предполагают покрыть полупроводниковой пленкой, нагревают в электропечи до 450 - 500 С. [43]

Изделие, которое предполагают покрыть полупроводниковой пленкой, нагревают в электропечи до 450 - 500 С. Имеет значение состав стекла. [44]

Страницы: 1 2 3 4

www.ngpedia.ru

полупроводниковая плёнка - это... Что такое полупроводниковая плёнка?

полупроводниковая плёнка

2) Electronics: semiconducting film

Универсальный русско-английский словарь. Академик.ру. 2011.

полупроводниковая переключательная схема
полупроводниковая пластина

Смотреть что такое "полупроводниковая плёнка" в других словарях:

Конденсатор электрический — система из двух или более электродов (обкладок), разделённых диэлектриком (См. Диэлектрики), толщина которого мала по сравнению с размерами обкладок; такая система электродов обладает взаимной электрической ёмкостью (См. Электрическая… … Большая советская энциклопедия
Шотки диод — Шоттки диод, диод с барьером Шотки, Полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл полупроводник; назван в честь немецкого учёного В. Шотки, создавшего в 1938 39 основы теории таких диодов. При изготовлении Ш. д. на… … Большая советская энциклопедия
Подложка — Для улучшения этой статьи желательно?: Найти и оформить в виде сносок ссылки на авторитетные источники, подтверждающие написанное … Википедия
Фотография — (от Фото... и ...графия) совокупность методов получения стабильных во времени изображений предметов и оптических сигналов на светочувствительных слоях (СЧС) путём закрепления фотохимических или фотофизических изменений, возникающих в СЧС… … Большая советская энциклопедия
Микроэлектроника — область электроники (См. Электроника), занимающаяся созданием электронных функциональных узлов, блоков и устройств в микроминиатюрном интегральном исполнении. Возникновение М. в начале 60 х гг. 20 в. было вызвано непрерывным усложнением… … Большая советская энциклопедия
Планарная технология — планарный процесс (англ. planar, от лат. planus плоский, ровный), первоначально совокупность технологических операций, проводимых для получения полупроводниковых (ПП) приборов с электронно дырочными переходами (См. Электронно дырочный… … Большая советская энциклопедия
Диод Шоттки — У этого термина существуют и другие значения, см. Диод (значения). Условное обозначение диода Шоттки НЕ по ГОСТ 2 … Википедия
запоминающее устройство — (ЗУ), устройство для записи, хранения и выдачи (по запросу) информации, представленной обычно в цифровом коде. При записи информация преобразуется в электрические, оптические или акустические сигналы либо механические перемещения с целью… … Энциклопедия техники
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР — прибор для регистрации ч ц, осн. элементом к рого явл. кристалл полупроводника. Регистрируемая ч ца, проникая в кристалл, генерирует в нём дополнит. (неравновесные) электронно дырочные пары. Носители заряда (электроны и дырки) под действием… … Физическая энциклопедия
ЭКСИТОН — (от лат. excito возбуждаю), квазичастица, соответствующая электронному возбуждению в кристалле диэлектрика или ПП, мигрирующему по кристаллу, но не связанному с переносом электрич. заряда и массы. Представление об Э. введено в 1931 Я. И.… … Физическая энциклопедия

universal_ru_en.academic.ru

Нагревание полупроводниковыми пленками

Очень большой интерес для лабораторий представляет нагревание химической посуды — стеклянной, кварцевой, фарфоровой и керамической — при помощи полупроводниковых пленок, которые могут быть нанесены на любую поверхность.

Рис. 226. Тигель Розе.

Рис. 227. Печь для нагревания в атмосфере инертного газа или двуокиси углерода.

В качестве полупроводника можно использовать пленки двуокиси олова. Для получения пленки двуокиси олова предварительно нагретое изделие (например, стакан, воронку, тигель и т. д.) обрабатывают спиртовым раствором хлорного олова или парами хлористого олова. Пленка хорошо закрепляется на поверхности стекла, кварца, фарфора и керамических материалов и обладает высокой механической прочностью и химической устойчивостью, однако она быстро разрушается под действием атомарного водорода.

К полупроводниковой пленке припаивают электропровода, которые служат для подключения прибора к электрической сети.

В условиях большинства химических лабораторий нанесение полупроводниковой пленки легче всего делать путем обработки наружной поверхности изделия (реже — внутренней поверхности) растворами хлоридов олова.

Подготовка изделий. Изделие, которое предполагают покрыть полупроводниковой пленкой, нагревают в электропечи до 450—500° С. Щелочные стекла перед нагре.-ванием обрабатывают 0,5 н. раствором азотной кислоты при 50° С в течение 12—15 ч. Эта обработка имеет целью извлечение ионов щелочных металлов с поверхности стекла и образование кремнеземистой пленки, которая дает прочное сцепление покрытия со стеклом и заметно увеличивает электропроводность и прозрачность пленки SnO2.

Изделия нз фарфора и керамики не выщелачивают.

Поверхность изделия, которая не должна быть покрыта полупроводниковой пленкой, защищают слоем глины или шамота, накладываемым на изделие до нагревания.

Обработка изделий. Нагретое изделие извлекают из печи и обрабатывают спиртовым или водным раствором SnCl4; лучшие результаты получаются при использовании спиртовых растворов. Для увеличения электропроводности пленки в раствор вводят восстановитель.

Рекомендованы следующие составы растворов дли получения полупроводниковой пленки (в частях):

1. Этиловый спирт, 96%-ный....... 10

Хлорное олово (SnCl4 *5h3O)..... 3,5

Треххлористая сурьма (SbCI3)..... 0,6

2. Этиловый спирт 96%-ный.......10

Хлорное олово (SnCl4 •5h3O)..... Ю

Восстановитель (гидразин, формалин и др.) 2,5

Тот или иной раствор наносят на подготовленную поверхность пульверизатором с высокой распыляющей способностью (давление 1,5—2 атм). Продолжительность пульверизации 30—40 сек. Чтобы получить сопротивление около 10—50 ом, пульверизацию проводят 5—10 раз.

Описанный способ применяют главным образом для создания покрытий на плоской поверхности.

Прикрепление электропроводов. Для того чтобы получить вполне надежный контакт между полупроводниковой пленкой и электродами, на пленку (в двух точках) следует нанести тонкий слон металла. Нанесение такого слоя может быть проведено: 1) методом вжига-ния паст; 2) химическим осаждением и 3) шоопирова-нием (получение тонкого слоя путем пульверизации расплавленного металла).

Методом вжигания наносят слой серебра или платины. Для нанесения слоя серебра применяют пасту следующего состава (в частях):

Углекислое серебро (Ag2CO3)... 8

Канифоль.......... 1

Скипидар .......... 4

Пасту наносят на изделие и нагревают его до 400° С. В результате образуются механически прочные слои электродов, к которым можно припаивать провода.

Слои серебра, наносимые методом химического осаждения, обладают малой механической прочностью и разрушаются при припайке проводов.

Нанесение металла методом шоопирования позволяет получать слои толщиной около 0,5 мм, достаточно устойчивые к плотности тока до 5 а/см2. При шоопировании рекомендуется использовать сплавы, температура плавления которых выше 250° С.

К оглавлению

Нагревательные приборы
Электронагревательные приборы
Газовые нагревательные приборы
Жидкостные горелки
Другие средства нагревания
Нагревание (1 2)
Нагревание в атмосфере инертных или других газов
Нагревание полупроводниковыми пленками
Нагревание в посуде из электропроводящего стекла
Нагревание газов и паров.
Нагревание при микро- и полумикрохимических работах
Прокаливание
Несколько замечаний о работах, связанных с нагреванием и прокаливанием

www.himikatus.ru

Полупроводниковая пленка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4

Полупроводниковая пленка

Cтраница 4

Изделие, которое предполагают покрыть полупроводниковой пленкой, нагревают в электропечи до 450 - 500 С. [46]

В условиях большинства химических лабораторий нанесение полупроводниковой пленки легче всего делать путем обработки наружной поверхности изделия ( реже - внутренней поверхности) растворами хлоридов олова. [47]

Изготовление этих схем основано на нанесении тонких металлических, диэлектрических и полупроводниковых пленок в соответствующей последовательности на изоляционную подложку для создания активных и пассивных элементов схемы. Основным технологическим способом изготовления таких схем является способ испарения материалов в вакууме. Метод вакуумного испарения дает возможность получать сложные многослойные структуры в одном технологическом процессе. Преимуществом тонкопленочной технологии является возможность ее полной автоматизации. К недостаткам следует отнести нестабильность пленочных активных элементов схемы. [48]

Эти спаи с одной стороны образованы полупроводниковыми пленками, а с другой - металлическими контактными полосками. [49]

В условиях большей части химических лабораторий нанесение полупроводниковой пленки легче всего делать путем обработки наружной поверхности изделия ( реже - внутренней поверхности) растворами хлоридов олова. [50]

Электроосаждение может оказаться перспективным методом при получении эпитаксиальных полупроводниковых пленок, используемых для создания полупроводниковых приборов. Электроосаждением индия на n - германий пользуются при изготовлении так называемых поверхностно-барьерных транзисторов и в других целях. [51]

Электроосаждение может оказаться перспективным методом при получении эпитаксиальных полупроводниковых пленок, используемых для создания полупроводниковых приборов. Электроосаждением индия на л-гер-маний пользуются при изготовлении так называемых поверхностно-барьерных транзисторов и в других целях. [52]

Повышение отражения видимого света стекол при нанесении полупроводниковых пленок двуокиси олова ( или других окислов) на поверхность оптических деталей или других изделий из стекла объясняется тем, что показатель преломления двуокиси олова и других полупроводниковых окисных пленок больше, чем у обычных стекол. Таким образом, пониженная прозрачность стеклянных изделий с электропроводящими пленками объясняется не только поглощением в толще пленки, но и потерями света вследствие его отражения. [53]

Страницы: 1 2 3 4

www.ngpedia.ru

Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты)

Использование: в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике, используемых в производстве СБИС, в частности структур кремний-на-диэлектрике. Техническим результатом изобретения является повышение качества структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике за счет выбора режимов имплантации, устойчиво препятствующих образованию блистеров. Сущность изобретения: в способе, включающем имплантацию поверхности полупроводниковой пластины через слой диэлектрика ионами водорода или благородных газов, соединение полупроводниковой пластины с несущей пластиной, термообработку при температурах, обеспечивающих сращивание пластин и расслоение облученной пластины, облучение полупроводниковой пластины проводят в два или три этапа. В первом этапе облучение проводят на глубину расслоения облученной пластины, а в другом (других) этапе (этапах) облучение с дозой, меньшей дозы облучения для расслоения пластины, проводят на глубину, отличающуюся от глубины расслоения. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Областью применения изобретения является микроэлектроника, а именно технология изготовления структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике, используемых в производстве СБИС, микроэлектромеханических систем, сенсоров и т.п.

Известны способы изготовления тонких пленок полупроводникового материала [1, 2, 3], в которых тонкие слои монокристаллического кремния отслаиваются от массивного слитка или от пластины методом имплантации водорода или других газов, путем накопления газа до концентрации, приводящей к формированию на глубине, равной длине пробега ионов, области расширения, обеспечивающей скол пластины заданной толщины.

Особенностью способов [2, 3] является создание радиационных дефектов, вызванных имплантацией ионов газов, внутренних напряжений, вызывающих появление стесненной деформации, разделяющей пластину на две части. При этом недостатком указанных способов является одновременное воздействие стесненной деформации на границу соединения пластин, вызывая локальные несоединения пластин (полости), снижающие качество структур.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому изобретению является способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике [4], включающий имплантацию поверхности полупроводниковой пластины через слой диэлектрика ионами водорода или благородных газов, соединение полупроводниковой пластины с несущей пластиной, термообработку при температурах, обеспечивающих сращивание пластин и расслоение облученной пластины.

На фиг.1.1-1.3 приведены этапы способа создания структуры, выполненные в соответствии с прототипом.

На фиг.1.1 представлен разрез структуры после имплантации поверхности полупроводниковой пластины 1 через слой диэлектрика 9 ионами водорода или благородных газов 2, образования в пластине слоя микропузырьков 3 параллельно поверхности пластины 4 и отделяющего тонкую пленку 5 от остальной части 6 пластины. В правой части фигуры приведено распределение атомов имплантированного газа с концентрацией N.

На фиг.1.2 представлен разрез структуры после соединения полупроводниковой пластины 1 с несущей пластиной 7 и термообработки при температурах, обеспечивающих сращивание пластин.

Н фиг.1.3 представлен разрез структуры после расслоения облученной пластины 1 по зазору 8 (соответствующему слою микропузырьков 3), переноса тонкой пленки 5 на несущую пластину 7 и отделения части 6 пластины 1.

Однако способ, описанный в прототипе [4], имеет недостатки, которые обусловлены самой технологией водородного (газового) расслоения пластины.

Основой технологии водородного (или с помощью благородных газов) расслоения является эффект формирования на глубине проективного пробега ионов водорода микротрещин размерами до 100 нм, в которых при последующей обработке идет накопление газообразного водорода, приводящее к повышенному давлению в микротрещине, ее росту и к отделению пленки кремния от остального кристалла [5].

В нарушенном ионами слое кремния (полупроводникового материала), после отжига при 400÷600°С, образуются уже крупные микротрещины размерами примерно 1 мкм. Характерной особенностью водорода является его активное взаимодействие с примесями и дефектами. В результате водород захватывается на растянутые и ослабленные связи кремний-кремний на краях микротрещин. Размеры трещин увеличиваются по мере накопления водорода, происходит полный разрыв связей и формирование куполов (блистеров) на поверхности размерами 10÷50 мкм. Появление куполов наблюдается при отжиге имплантированного кристалла, начиная с некоторой дозы водорода. Подобный рельеф на поверхности может также образовываться при имплантации, если доза будет превышать другое критическое значении. Таким образом, существует некоторый интервал доз, внутри которого не происходит нарушение поверхности в процессе облучения и в то же время концентрация водорода уже достаточна для отслоения кремния при отжиге [5].

Если поверхность облученного кристалла покрыть механически прочной пленкой или соединить с другой пластиной, то формирование высоких куполов будет подавлено, а трещины будут развиваться преимущественно параллельно поверхности, приводя к полному отделению пленки от остального кристалла [6]. Интервал доз, в котором блистеры не образуются, зависит от многих факторов: температуры облучения, используемой энергии и интенсивности потока ионов, наличия дополнительных покрытий на поверхности кремния (например, пленки двуокиси кремния) и исходного материала [5].

Таким образом, как показано выше, основным недостатком способа является образование блистеров, нарушающих сплошность перенесенного слоя, появление которых трудно контролируемо из-за большого количества факторов, от которых зависит их появление.

Задачей настоящего изобретения является получение технического результата, заключающегося в повышении качества структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике за счет выбора режимов имплантации, устойчиво препятствующих образованию блистеров.

Для достижения названного технического результата в способе, включающем имплантацию поверхности полупроводниковой пластины через слой диэлектрика ионами водорода или благородных газов, соединение полупроводниковой пластины с несущей пластиной, термообработку при температурах, обеспечивающих сращивание и расслоение облученной пластины, облучение полупроводниковой пластины проводят по меньшей мере в два этапа, в одном этапе облучение проводят на глубину расслоения облученной пластины, а в других этапах облучение с дозой, меньшей дозы облучения для расслоения пластины, проводят на глубину, большую или меньшую глубины расслоения, причем осуществление имплантации всех этапов может происходить одновременно.

Таким образом, отличительными признаками предлагаемого изобретения является то, что облучение полупроводниковой пластины проводят по меньшей мере в два этапа, в одном этапе облучение проводят на глубину расслоения облученной пластины, а в других этапах облучение с дозой, меньшей дозы облучения для расслоения пластины, проводят на глубину, отличающуюся от глубины расслоения.

Данная совокупность отличительных признаков позволяет решить поставленную задачу.

На фиг.2 и 3 приведены этапы расслоения пластины в способе создания структур тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике в прототипе [4] и в предлагаемом изобретении.

На фиг.2а представлен разрез структуры прототипа [4] после имплантации при комнатной температуре поверхности полупроводниковой пластины ионами водорода или благородных газов и образования в пластине слоя высокой концентрации ионов имплантированных газов (распределение ионов схематически показано в виде прямоугольника), параллельного поверхности пластины и в последующем отделяющего тонкую пленку от остальной части пластины.

На фиг.2б представлен разрез структуры прототипа [4] после обработки при температуре 500°С. Показаны два диффузионных потока водорода, один внутрь на радиационные дефекты (с выделением газообразного водорода), другой наружу в сторону наименьших концентраций, снижающий концентрацию газообразного водорода и в результате обуславливающий увеличение дозы имплантации.

На фиг.3а представлен разрез структуры в соответствии с изобретением после имплантации при комнатной температуре поверхности полупроводниковой пластины в три этапа. В одном этапе облучение проводят на глубину расслоения облученной пластины, а в двух других этапах облучение проводят на глубину, меньшую и большую глубины расслоения с дозами, меньшими дозы облучения, необходимыми для расслоения пластины (распределение ионов схематически показано в виде трех прямоугольников).

На фиг.3б представлен разрез структуры после обработки при температуре 500°С. Показано три диффузионных потока водорода, два внутрь на радиационные дефекты из основного имплантационного профиля и из боковых (с выделением газообразного водорода), третий (значительно меньший, чем в прототипе) - наружу в стороны наименьших концентраций.

При этом концентрация в центральном распределении выбирается меньшей, чем в прототипе, и общее количество примеси не превышает количества имплантированной примеси по прототипу.

В результате в предлагаемом способе устраняются недостатки, присущие прототипу.

Проведенные патентные исследования показали, что совокупность признаков предлагаемого изобретения является новой, что доказывает новизну заявляемой структуры и способа ее изготовления. Кроме того, патентные исследования показали, что в литературе отсутствуют данные, оказывающие влияние отличительных признаков заявляемого изобретения на достижение технического результата, что подтверждает изобретательский уровень предлагаемого способа.

Пример реализации способа:

Пластины кремния (КЭФ-4,5 (100), толщиной 460 мкм) подвергались стандартной обработке в буферном растворе HF:Nh5F:h3О для удаления естественного оксида с поверхности кремния. На первой пластине термическим окислением формировался диэлектрический слой толщиной 100 нм и проводилась имплантация ионами водорода с энергией 30, 60 и 90 кэВ с дозами 5,0×1015 см-2, 3,0×1016 см-2 и 5,0×1015 см-2.

На второй пластине толщина диэлектрического слоя составляла 300 нм. Контрольная пара пластин обрабатывалась аналогичным образом, отличие было только в режиме имплантации водорода: энергия - 60 кэВ, доза - 4,0×1016 см-2.

Затем соединенные пластины подвергались термообработке при температуре 500°С в течение 30 мин. На этой стадии происходило расслоение полупроводниковой пластины на тонкую пленку, соединенную с несущей пластиной, и основную часть пластины. При этом было установлено, что количество блистеров в структуре, полученной в соответствии с предлагаемым изобретением, значительно ниже (на порядок), чем в контрольной структуре, выполненной в соответствии с прототипом.

Литература

1. Авторское свидетельство СССР №1282757 А1, 30.12.1983 г.

2. Патент РФ 2164719 С1.

3. Тимошенков С.П., Прокофьев Е.П. и др. \Получение структур КИИ методами химической сборки поверхности и газового скалывания\. Электронная промышленность, №1, 2002 г., стр.51.

4. Патент США №5374564.

5. Попов В.П. и др. \Свойства структур и приборов на кремний-на-изоляторе\. ФТП, 2001 г., том 35, вып.9, стр.1075.

6. M.Bruel, Electron. Lett., 31, 1201 (1995 г.).

1. Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике, включающий имплантацию поверхности полупроводниковой пластины через слой диэлектрика ионами водорода или благородных газов, соединение полупроводниковой пластины с несущей пластиной, термообработку при температурах, обеспечивающих сращивание пластин и расслоение облученной пластины, отличающийся тем, что облучение полупроводниковой пластины проводят в два этапа, на одном этапе облучение проводят на глубину расслоения облученной пластины, а на другом этапе облучение с дозой, меньшей дозы облучения для расслоения пластины, проводят на глубину, отличающуюся от глубины расслоения.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что на другом этапе облучение проводят на глубину, большую глубины расслоения.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что на другом этапе облучение проводят на глубину, меньшую глубины расслоения.

4. Способ по п.1, отличающийся тем, что осуществление имплантации всех этапов происходит одновременно.

5. Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике, включающий имплантацию поверхности полупроводниковой пластины через слой диэлектрика ионами водорода или благородных газов, соединение полупроводниковой пластины с несущей пластиной, термообработку при температурах, обеспечивающих сращивание пластин и расслоение облученной пластины, отличающийся тем, что облучение полупроводниковой пластины проводят в три этапа, на одном этапе облучение проводят на глубину расслоения облученной пластины, а на двух других этапах облучение проводят на глубину, меньшую и большую глубины расслоения, с дозами, меньшими дозы облучения для расслоения пластины.

6. Способ по п.4, отличающийся тем, что осуществление имплантации всех этапов происходит одновременно.

Нагревание полупроводниковыми пленками. Полупроводниковая пленка

2.4 Полупроводниковые пленки. Тонкопленочные резисторы

Похожие главы из других работ:

2.1 Бесконтактные полупроводниковые реле

1.1 Полупроводниковые интегральные микросхемы

2.2 Полупроводниковые оптические усилители

2. Полупроводниковые материалы Si и Ge

3. Полупроводниковые диоды

1. Полупроводниковые диоды

1.1.4 Полупроводниковые элементы

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Четыре стадии роста пленки

Образование сплошной пленки

2.2.2 Расчет режимов окисления при получении диэлектрической пленки

2.12 Удаление пленки диоксида кремния

2.21 Удаление пленки диоксида кремния

2.1 Металлосплавные пленки

1.3 Полупроводниковые генераторы

полупроводниковая плёнка - это... Что такое полупроводниковая плёнка?

Смотреть что такое "полупроводниковая плёнка" в других словарях:

Полупроводниковая пленка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3

Полупроводниковая пленка

полупроводниковая плёнка - это... Что такое полупроводниковая плёнка?

Смотреть что такое "полупроводниковая плёнка" в других словарях:

Нагревание полупроводниковыми пленками

Полупроводниковая пленка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4

Полупроводниковая пленка

Способ изготовления тонких пленок полупроводникового материала на диэлектрике (варианты)