Травитель для эпитаксиальных пленок на основе железоиттриевого граната. Изготовление эпитаксиальных пленок жиг г львов

Травитель для эпитаксиальных пленок на основе железоиттриевого граната

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 С 30 В 33/08, 29/28

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4766331/26 (22) 19,10,89 (46) 07.10.91, Бюл. ¹ 37 (72) Р.П.Мальцева (53) 621.315.592(088,8) (56) ЫсИ S,J. Technique for controlled

adjustment of bubble collapse field ln

epitaxial garnet films by etching. — J. Electron.

Mater, 1975, 4, ¹ 4, р. 757 — 768, (54) ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ

ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ ЖЕЛЕЗОИТТРИЕВОГО ГРАНАТА (57) Изобретение относится к химическим соединениям и предназначено для прецизионного травления эпитаксиальных пленок на основе железоиттриевого граната. Изготавливаемые путем травления из данных пленок элементы необходимой конфигурации используются в устройствах радиотехИзобретение относится к химическим соединениям и предназначено для прецизионного травления эпитаксиальных пленок на основе железоиттриевого граната (ЖИГ), получаемых жидко-фазной эпитаксией на монокристаллических подложках галлийгадолиниевого граната, изготавливаемые путем травления из данных пленок элементы необходимой конфигурации используются в устройствах радиотехники, таких как гиромагнитные фильтры, линии задержки и т.п, Целью изобретения является повышение скорости травления при обеспечении высокого качества границ селективно вытравливаемых элементов.. Ы 1682417 А1 ники, таких как гиромагнитные фильтры, линии задержки и т.п. Целью изобретения является повышение скорости травления при обеспечении высокого качества границ селективно вытравливаемых элементов.

Для достижения цели используется травитель, содержащий концентрированную азотную кислоту и ортофосфорную кислоту в соотношении 5 и 95 мас.7, соответственно, Травление проводится при температуре около 175 С. При этой температуре азотная кислота разлагается с выделением двуокиси азота, что обуславливает повышение скорости травления эпитаксиальных пленок толщиной 20 мкм до

3 — 4 мкм/мин, При превышении данной концентрации азотной кислоты скорость травления возрастает еще более, но при этом начинает ухудшаться качество границ вытравливаемых элементов, Поставленная цель достигается тем. что травитель для эпитаксиальных пленок ЖИГ, содержащий ортофосфорную кислоту, дополнительноно содержит концентрированную азотную кислоту при следующем соотношении компонентов, мас. :

Азотная кислота (концентрированная) 5

Ортофосфорная кислота Остальное

Травление производится при температуре около 175 С, близкой к температуре кипения ортофосфорной кислоты. При этой температуре введенная в состав травителя азотная кислота разлагается с выделением двуокиси азота. Двуокись азота является сильным окислителем, что и обуславливает

1682417

Составитель Е, I исарева

Техред M.Ìoðãåíòàë Корректор M Шароши

Редактор Н, Гунько

Заказ 3384 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 повышение скорости травления эпитаксиальных ЖИГ пленок.

Проведенные экспериментальные исследования показывают, что укаэанное введение азотной кислоты увеличивает скорость травления, Пленки ЖИГ толщиной

20 мкм растравливаются полностью (эа исключением участков, покрытых защитным слоем) за 5 — 7 мин, Скорость травления составляет не менее 3 — 4 мкм/мин, т,е, более, чем в 3;т скорость травления в известном травителе из ортофосфорной кислоты (без добавок), При добавке азотной кислоты в неполном количестве, чем указанные 5, скорость травления снижается. При превышении указанного значения скорость травления возрастает еще более, но при этом начинает ухудшаться качество границ вытравливаемых элементов.

Формула изобретения

5 Травитель для эпитаксиальных пленок на основе железоиттриевого граната, содержащий ортофосфорную кислоту, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения скорости травления при обес10 печении высокого качества границ селективно вытравливаемых элементов, травитель дополнительно содержит концентрированную азотную кислоту при следующем соотношении компонентов, мас.$:

15 Концентрированная азотная кислота 5

Ортофосфорная кислота Остальное

www.findpatent.ru

Эпитаксиальная феррит-гранатовая структура

Использование: при разработке и изготовлении малогабаритных планарных СВЧ приборов на поверхностных магнитостатических волнах (ПМСВ). Сущность изобретения: эпитаксиальная феррит-гранатовая структура (ЭФГС), содержащая подложку из гадолиний-галлиевого граната (ГГГ) ориентации (100), включает пленку на основе железо-иттриевого граната (ЖИГ) с содержанием Ga, L a и/или Se и разориентирована от плоскости (100) к плоскости (110) на угол 0 - 15o. Предлагаемая структура обеспечивает термостабильность частот возбуждения ПМСВ в интервале от -70 до +85oС. 2 ил.

Изобретение относится к монокристаллическим материалам, в частности к эпитаксиальным феррит-гранатовым структурам (ЭФГС) на основе железо-иттриевого граната (ЖИГ), и может быть использовано при разработке и изготовлении малогабаритных планарных сверхвысокочастотных (СВЧ) приборов на поверхностных магнитостатических волнах (ПМСВ).

РИСУНКИ

www.findpatent.ru

Рост эпитаксиальных пленок

Термин "эпитаксия" происходит от греческих слоев "эпи" - на и "таксис" - располагаться в порядке.

Эпитаксия - процесс ориентированного наращивания, в результате которого новая фаза продолжает кристаллическую решетку подложки с образованием переходного эпитаксиального слоя. Этот слой способствует когерентному срастанию двух решеток по плоскостям и направлениям со сходной плотностью упаковки атомов.

Эпитаксия может быть разделена на три вида: автоэпитаксию, гетероэпитаксию и хемоэпитаксию.

Автоэпитаксия (или гомоэпитаксия) - это процесс ориентированного наращивания кристаллического вещества, очень незначительно отличающегося по составу от вещества подложки. Как правило, это различие лежит в пределах концентрации бедного примесью твердого раствора на основе вещества подложки. В полупроводнике такое различие предполагает разный уровень легирования его соответствующими примесями, обусловливает существенное изменение электрофизических свойств и дает возможность образовывать гомогенный электронно-дырочный переход.

Гетероэпитаксия - процесс ориентированного наращивания одного вещества, отличающегося по составу от другого вещества.

Хемоэпитаксия - это процесс ориентированного наращивания, в результате которого образование новой фазы происходит при химическом взаимодействии вещества подложки с веществом, поступающим из внешней среды.

При кристаллизации на ориентированной монокристаллической подложке в условиях малых пересыщений осуществляется процесс эпитаксии, и структура пленки повторяет структуру подложки.

Пленка образуется при двумерном зарастании ступеней на поверхности подложки или в результате появления трехмерных зародышей и их последующего роста. Кинетика осаждения пленок по каждому механизму определяется температурой и давлением исходной паровой или жидкой фазы, поверхностными энергиями образующихся границ раздела пленки с подложкой и окружающей средой.

В процессе эпитаксиального осаждения пленки на начальной стадии происходит образование некоторого переходного слоя между пленкой и подложкой, обладающего структурными и электрофизическими свойствами, отличными от свойств как пленки, так и подложки. Толщина переходного слоя и его свойства зависят от протекания процесса эпитаксии. Этот слой может включать большое количество структурных дефектов. Основными причинами образования дефектного переходного слоя являются:

- несовершенство механической обработки поверхности подложки и неполное химическое удаление нарушенного слоя;

- образование рельефа поверхности подложки при химическом или газовом травлении перед эпитаксией;

- загрязнение поверхности;

- захват атомов примесей поверхностью растущих зерен и ускоренная диффузия примесей из подложки в пленку.

Все эти факторы обусловливают наблюдаемое в эпитаксиальных пленках изменение концентрации и подвижности носителей заряда и электросопротивления, а также плотности дислокаций и дефектов упаковки.

Хотя ориентация кристаллических решеток зародышей повторяет ориентацию монокристаллической подложки, в области границы раздела возможна небольшая разориентация зародышей относительно подложки и относительно друг друга вследствие различных нарушений совершенства структуры.

Наиболее общей причиной несоответствия решеток и разориентации является легирование, например, бором пленок или подложек кремния. Деформация решетки при легировании вызывает возникновение напряжений, что приводит к образованию дислокаций несоответствия и других особенностей ориентированной кристаллизации.

Качество переходного слоя пленка - подложка в сильной степени зависит от температуры подложки в процессе эпитаксиального наращивания.

Даже на атомарно-гладкой грани неоднородности поверхности, связанные с присутствием точечных дефектов, дают значительное увеличение скорости зародышеобразования. Это особенно заметно при малых пересыщениях и большой концентрации примесей в подложке, когда размер зародыша сравним со средним расстоянием между атомами примесей на поверхности подложки (10 нм при 1018 см–3).

Кроме того, на скорость образования зародышей большое влияние оказывает ориентация подложки. От ориентации подложки в сильной степени зависит величина критической скорости эпитаксиального роста, т.е. той скорости, при которой осаждающийся на поверхности подложки атом успевает "встроиться" в решетку подложки, прежде чем вступит во взаимодействие с вновь поступающим атомом.

Основными характеристиками эпитаксиальных пленок являются их толщина, тип проводимости и удельное сопротивление. Эти характеристики могут быть измерены с помощью тех же методов, которые применяются для оценки диффузионных слоев.

studfiles.net

Способ получения эпитаксиальных пленок

Изобретение относится к области материаловедения, а более конкретно к способам получения эпитаксиальных пленок, и может быть применено в области микроэлектроники, акусто- и оптоэлектроники, а также в производстве полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе получения эпитаксиальных пленок, заключающемся в создании на поверхности монокристаллических подложек слоев пленки с измененным по отношению к подложке химическим составом путем нагрева подложки в вакууме и последующим охлаждением до комнатной температуры, подложка содержит химические компоненты целевой пленки, а нагрев проводят в интервале температур T1-Т2, где T1 - нижняя температура образования термодинамически стабильного соединения, из которого состоят слои целевой пленки, а Т2 - температура начала его распада, при этом в результате нагрева происходит диффузия компонентов подложки к поверхности, сопровождаемая их химическим взаимодействием и ориентацией образующихся в результате этого взаимодействия соединений на подложке с созданием слоя целевой пленки заданной толщины. Изобретение позволяет упростить получение стабильных эпитаксиальных пленок сложного состава в широком диапазоне толщин и повысить их качество за счет высокой адгезии и стехиометрии состава. 2 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области материаловедения, а более конкретно к способам получения эпитаксиальных (высокоориентированных) пленок различной толщины, в т.ч. наноразмерных, и может быть применено в области микроэлектроники, акусто- и оптоэлектроники, а также в производстве полупроводниковых приборов.

Известно [1. Технология тонких пленок: справочник, T.1. Пер. с англ., под ред. М.И. Елинсона, М., Советское радио, 1977; 2. Л.Н. Александров. Кинетика образования и структуры твердых слоев. Новосибирск, Наука, 1972, 228 с.], что твердофазные реакции синтеза имеют кинетическую и диффузионную стадии, которые определяют необходимость определенных значений температуры и времени термообработки (отжига) для получения целевого соединения. Существуют нижняя и верхняя граница температурного интервала синтеза, за пределами которого (Tнеуст.<T1) реакция образования целевого соединения не начинается, либо образующееся целевое соединение деградирует вследствие разложения, селективной десорбции компонентов, инконгруэнтного плавления и т.д. (Тразл.>Т2). Как пример, для соединения PbTiO3 получаемого по твердофазной реакции, T1=500°C, а деградация за счет испарения PbO начинается при Т2=800°С [3. К. Окадзаки. Технология керамических диэлектриков. 1976. М.. Энергия. 336 с]. Для соединения YBa2Cu3О7-х: T1=800°C, а Т2=1015°С (инконгруэнтное плавление) [4. А.А. Фотиев, С.Н. Кощеева. В сб.: Физико-химические основы синтеза и свойства высокотемпературных сверхпроводящих материалов. Свердловск, Изд. Института химии Уральского отделения АН СССР, 1990, с.81-90].

Известны способы получения эпитаксиальных пленок различного состава путем термического распыления в вакууме исходного вещества или его компонентов на нагреваемую подложку либо путем катодного распыления многокомпонентной мишени на нагреваемую подложку [5. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. М., Радио и связь, 1991, 528 с.]. Эти методы используют сложное технологическое оборудование для нанесения вещества на подложку, не обеспечивают достаточно высокую адгезию к подложке из-за различия в термических коэффициентах расширения подложки и пленки и не позволяют получить хорошую стехиометрию целевых пленок, особенно сложного состава, вследствие селективности коэффициентов испарения и распыления компонентов.

Наиболее близким аналогом предлагаемого способа является нагрев монокристаллической подложки сложного состава SrTiO3 в вакууме, вследствие чего на поверхности образуется слой титаната с измененным по отношению к подложке химическим составом [6. W.J. Lo, G.A. Somorjai. Phys. Rev. B, 1978, v.17, N12, p.4942-4950]. Однако полученные таким способом пленки неустойчивы, в т.ч. из-за нестехиометричности, и при охлаждении их состав возвращается к составу подложки.

Техническая задача изобретения - получение стабильных эпитаксиальных пленок соединений на подложках сложного состава, содержащих переходные металлы, например, типа перовскитов, в широком диапазоне толщин, в простом технологическом исполнении, сопровождающееся повышением качества пленок за счет их высокой адгезии и стехиометрии.

Решение задачи осуществляют тем, что нагрев в вакууме (либо в инертной атмосфере) производят в установленном автором температурном интервале T1-Т2, который обеспечивает образование пленки, растущей по эпитаксиальному механизму и состоящей из термодинамически стабильной фазы соединений нового состава, компоненты которого, однако, имелись в исходном составе подложки. При этом процесс осуществляют простыми технологическими устройствами.

Сущность изобретения состоит в том, что эпитаксиальную пленку получают путем термического воздействия на монокристаллическую подложку, содержащую химические компоненты этой пленки. Нагрев осуществляют в определенном температурном интервале термодинамической стабильности T1-Т2 соединения, из которого состоит целевая пленка. Здесь T1 - температура начала его образования, Т2 - температура начала его распада. Подходы к определению значений этих температур описаны в справочных материалах для соединений рассматриваемого типа [3, 4]. В результате диффузии компонентов подложки к поверхности, их химического взаимодействия и ориентирующего действия подложки на ее поверхности происходит образование и эпитаксиальный рост ориентированного (уже по-своему, ориентация которого, как правило, не совпадает с исходной) слоя соединения, из которого состоит целевая пленка. Толщина и качество этой пленки определяются временем воздействия и температурой (внутри вышеупомянутого интервала термодинамической стабильности, индивидуального для каждого соединения), при которой осуществляется нагрев, в ряде случаев - скоростью и режимами нагрева и охлаждения. Способ позволяет упростить получение эпитаксиальных слоев различного состава в широком интервале толщин и повысить их качество за счет высокой адгезии и выполнения стехиометрии химического состава.

Механизм образования тонкого эпитаксиального слоя заключается в диффузии отдельных атомов, молекул или других компонентов подложки к поверхности по междуузлиям решетки и синтезе, осуществляемом в условиях твердофазной реакции, целевого соединения в температурном интервале его стабильности T1-Т2, сопровождающемся образованием из этих слоев конечной многослойной пленки заданной толщины. Ниже T1 в пленке не образуется термодинамически стабильное соединение, не осуществляется эпитаксиальный механизм роста пленки. При охлаждении ниже T1 состав пленки возвращается к составу подложки. Выше Т2 нестабильность обусловлена высокотемпературными деструктивными процессами в пленке и подложке (диффузия других компонентов подложки, десорбция компонентов пленки и др.), в результате чего происходит разложение целевого соединения. Эпитаксия в интервале T1-Т2 достигается за счет определяющего влияния ориентации монокристаллической подложки на рост поверхностной пленки. Высокая адгезия обусловлена сильными атомными связями пленки, "вросшей" в подложку. Стехиометрия целевой пленки достигается за счет накопления на поверхности необходимых компонентов для реакции и подбора температуры синтеза в интервале T1-Т2. Толщина и термодинамическая стабильность целевой поверхностной пленки в первую очередь достигается за счет определенной длительности термического воздействия, по технологической терминологии - отжига. В случае тонкой целевой пленки (несколько нм) длительность отжига может составлять несколько минут, для получения термодинамически равновесных более толстых пленок (доли мкм) необходима длительность отжига до десятков минут. Толщина заданной пленки за счет продолжительности отжига (более получаса) может быть и выше, однако качество пленки может при этом ухудшиться.

Изобретение иллюстрируется следующими примерами

Пример 1

Берут в качестве подложки срез кристаллографической ориентации (001) монокристалла Pb5Ge3О12 и проводят отжиги в интервале 300-600°С в вакууме в течение 15 мин, затем постепенно охлаждают до комнатной температуры. В результате на поверхности Pb5Ge3О11 образуется целевая пленка с неизменяющейся после механических воздействий структурой и высокой степенью сцепления с подложкой. Идентификация системы пленка-подложка производится во всех примерах оже-спектрометрическим анализом (оже-спектрометр фирмы «РИБЕР») и дифракцией медленных электронов (оже-спектрометр фирмы ВАРИАН). Химическая формула пленки определена как PbO. Ориентация монокристаллической подложки и пленки совпадают - [001], толщина пленки 0,6 мкм. Отжиг этого соединения в тех же условиях в течение 30 мин дал пленку толщиной 2 мкм. Химический состав пленок является стехиометрическим. Нагревание образца в тех же условиях в течение более часа (около 80 мин) дало пленку толщиной порядка 2,5 мкм, однако качество пленки, внешний вид, адгезия ухудшились.

Таким образом, простым методом получены эпитаксиальные пленки PbO толщиной от десятых долей мкм до нескольких мкм с высокой адгезией и стабильным составом.

Пример 2

Берут в качестве подложки монокристалл с составом Bi4Ti3О12 и ориентацией (001) и проводят в вакууме отжиги в термопечи в интервале 680-800°С в течение 15 мин, затем охлаждают до комнатной температуры. На поверхности монокристаллической подложки образуется целевая пленка с ориентацией [100], имеющая высокую адгезию. Химический состав пленки идентифицирован как Bi2Ti2О7. Толщина пленки 5 нм.

Пример 3.

Берут в качестве подложки монокристалл BaTiO3 с ориентацией (100) и проводят отжиги в печи при пониженном давлении в интервале 500-1130°С в течение 30 мин, затем охлаждают до комнатной температуры. На поверхности монокристаллической подложки образуется эпитаксиальная пленка стабильного химического состава BaTi2О5 с ориентацией (001). Толщина пленки 0,2 мкм.

1. Способ получения эпитаксиальных пленок, заключающийся в создании на поверхности монокристаллических подложек слоев пленки с измененным по отношению к подложке химическим составом путем нагрева подложки в вакууме и последующим охлаждением до комнатной температуры, отличающийся тем, что подложка содержит химические компоненты целевой пленки, а нагрев проводят в интервале температур T1-T2, где T1 - нижняя температура образования термодинамически стабильного соединения, из которого состоят слои целевой пленки, а Т2 - температура начала его распада, при этом в результате нагрева происходит диффузия компонентов подложки к поверхности, сопровождаемая их химическим взаимодействием и ориентацией образующихся в результате этого взаимодействия соединений на подложке с созданием слоя целевой пленки заданной толщины.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что время нагрева составляет до 30 мин.

3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что толщина пленки составляет в зависимости от времени нагрева от 5 нм до 2 мкм.

www.findpatent.ru

Диссертация на тему «Повышение термостабильности спин-волновых характеристик монокристаллических ферромагнитных пленок» автореферат по специальности ВАК 01.04.07 - Физика конденсированного состояния

1. Гласс X.J1. Ферритовые пленки для СВЧ-устройств // ТИИЭР. -1988.-Т. 76,№2.-С. 64-72.

2. Kittel С. Excitation of spin waves in ferromagnet by uniform rf field // Phys. Rev. 1958. - V. 110, № 6. - P. 1295-1297.

3. Seavey M.H., Tannenwald P.E. Direct observation of spin wave resonance // Phys. Rev. Lett. 1958. - У. 1, № 5. - P. 168-169.

4. Тонкие ферромагнитные пленки (Под. ред. Р.В. Телеснина). -М.: Мир, 1964.-360 с.

5. Суху Р. Магнитные тонкие пленки. М.: Мир, 1967. - 424 с.

6. Саланский Н.М., Ерухимов М.Ш. Физические свойства и применение магнитных пленок. Новосибирск: Наука, 1975. - 224 с.

7. Лаке Б., Баттон К. Сверхвысокочастотные ферриты и ферри-магнетики. М.: Мир, 1965. - 675 с.

8. Гуревич А.Г. Магнитный резонанс в ферритах и антиферромагнетиках. -М.: Наука, 1973. 592 с.

9. Крупичка С. Физика ферритов и родственных им магнитных окислов. М.: Мир, 1976. - 353 с.(Т. 1) - 504 с. (Т. 2).

10. Яковлев Ю.М., Генделев С.Ш. Монокристаллы ферритов в радиоэлектронике. М.: Сов. радио, 1975. - 360 с.

11. П.Родриг Г.П. Этапы развития ферритовой аппаратуры диапазона СВЧ // ТИИЭР. 1988. - Т. 76, № 2. - С. 29-49.

12. Henry R.D., Besser Р.J., Heinz D.M. and Мее J.E. Ferromagnetic resonance properties of LPE YIG films // IEEE Trans, on Magnetics. 1973. -V. MAG-9. - P. 535-537.

13. Речицкий В.И. Акустоэлектронные компоненты: элементы и устройства на поверхностных акустических волнах. М.: Сов. радио, 1981.-264 с.

14. Фильтры на поверхностных акустических волнах (Под ред. Г Мэтьюза). М.: Радио и связь, 1981. - 472 с.

15. Дьелесан Э., Руайе Д. Упругие волны в твердых телах. Применение для обработки сигналов. М.: Наука, 1982. - 424 с.

16. Adam J.D. and Collins J.H. Microwave magnetostatic delay devices based on epitaxial yttrium iron garnet // IEEE Trans, on Magnetics. 1976. - V. MAG-64, № 5. - P. 794-800.

17. Лебедь Б.М., Лопатин В.П. Магнитостатические колебания в ферритах и их использование в технике СВЧ // Электроника СВЧ,-1978.-Вып. 12(561).

18. Шехтман Ф.И. Перспективы создания устройств на магнитоста-тических волнах для аналоговой обработки СВЧ сигналов // Радиоэлектроника за рубежом. 1979. - Вып. 25(893). - С. 9-23.

19. Барыбин А.А., Вендик И.Б., Вендик О.Г., Калиникос Б.А., Ми-роненко И.Г., Тер-Мартиросян JI.T. Перспективы интегральной электроники СВЧ// Микроэлектроника. -1979. Т. 8, № 1. - С. 3-19.

20. Никитов В.А., Никитов С.А. Исследование и разработка устройств на магнитостатических волнах /У Зарубежная радиоэлектроника. 1981. -№ 12. - С. 41-52.

21. Adam J.D. and Daniel M.R. The status of magnetostatic devices // IEEE Trans, on Magnetics. -1981,-V.MAG-17,№ 6.-P. 2951-2960.

22. Seshares J.G. Magnetostatic wave devices and applications // J. Appl. Phys. 1982. - V. 53, № 3. - P. 2646-2652.

23. Шехтман Ф.И. Экспериментальные устройства обработки информации на магнитостатических волнах Н Радиотехника за рубежом. 1983. - № 2. - С. 5-11.

24. Castera J.P. State of the art in design and technology of MSW devices // J. Appl. Phys. -1984. V. 55, № 6, Part П В. - P. 2506-2511.

25. Hartemann P. Magnetostatic wave planar YIG devices II IEEE Trans, on Magnetics. 1984. - V. MAG-20, № 5. - P. 1761-1768.

26. Вендик О.Г. Особенности структуры устройств функциональной электроники // Электронная промышленность. 1983. - № 8. -С. 61-65.

27. Вапнэ Г.М. СВЧ-устройства на магнитостатических волнах // Обзоры по электронной технике. Сер. 1. Электроника СВЧ. -М.: ЦНИИ «Электроника» - 1984. - Вып. 8(1060). - 80 с.

28. Исхак B.C. Применение магнитостатических волн: Обзор // ТИИЭР. 1988. - Т. 76, № 2. - С. 86-104.

29. Физика спин-волновых процессов в ферромагнитных пленках и слоистых структурах (Тематический выпуск) // Изв. вузов. СССР. Физика. 1988. - Т. 31, № 11. - 124 с.

30. Адам Дж.Д. Аналоговая обработка сигналов с помощью СВЧ-ферритов // ТИИЭР. 1988. - Т. 76, № 2. - С. 73-86.

31. Патент на изобретение Российской Федерации № 2061112. Эпи-таксиальная феррит-гранатовая структура / Хе A.C., Нам Б.П., Маряхин A.B., Шагаев В.В., Сендерзон Е.Р., Богунов В.Г. -Опубл. в Бюл. 1996, № 15.

32. Патент на изобретение Российской Федерации № 2051209. Способ термостабилизации рабочей частоты устройств на поверхностных магнитостатических волнах / Хе A.C., Нам Б.П., Маряхин A.B., Шагаев В.В., Ляховецкии В.Е. Опубл. в Бюл. 1995, № 36.

33. Берегов A.C. Магнитостатические волны в структуре с произвольно намагниченной пленкой кубического ферромагнетика // Изв. вузов СССР. Сер. Радиоэлектроника. 1984. - Т. 27, № 10. - С. 9-16.

34. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. -М.: Наука, 1982.-620 с.

35. Walker L.R. Magnetostatic modes in ferromagnetic resonance // Phys. Rev. 1957. - V. 105, № 2. - P. 390-399.

36. Walker L.R. Resonant modes of ferromagnetic spheroids // J. Appl. Phys. 1958. - V. 29, № 3. - P. 318-323.

37. Калиникос Б.А. Дипольно-обменные спиновые волны в ферромагнитных пленках // Дисс. докт. физ.-мат. наук. Ленинград, ЛЭТИ, 1985-411 е.

38. Вендик О.Г., Чарторижский Д.Н. Дисперсионное уравнение для неоднородных колебаний намагниченности в ферромагнитной пластинке // ФТТ. 1970. - Т. 12, № 5. - С. 1538-1540.

39. Вендик О.Г., Чарторижский Д.Н. О влиянии граничных условий для вектора намагниченности на дисперсию спиновых волн в тонкой ферромагнитной пленке // Изв. ЛЭТИ. 1970. — Вып. 96. - С. 70-73.

40. Kalinikos В.A., Slavin A.N. Theory of dipole-exchange spin waves spectrum for ferromagnetic films with mixed exchange boundary conditions // J. Phys. C.: Solid State Phys. 1986. - V. 19. - P. 7013-7033.

41. O'Keeffe T.W., Patterson R.W. Magnetostatic surface-wave propagation in finite samples // J. Appl. Phys. 1978. - V. 49, № 9. - P. 4886-4895.

42. Bajpai S.N., Srivastava N.C. Magnetostatic bulk wave propagation in maltilayered structure f! Electronics Lett. 1980. - V. 16, № 7. -P. 269-270.

43. Adam J.P., Bajpai S.N. Magnetostatic forward volume wave propagation in YIG strips // IEEE Trans, on Magnetics. 1982. - V. MAG-18, № 6. - P. 1598-1600.

44. Новиков Г.М., Борисов C.A., Лазерсон А.Г., Петрунькин Е.З., Радюк О.М. Прямые магнитостатические волны в слоистойструктуре металл-диэлектрик-феррит-диэлектрик-металл // ЖТФ. 1982. - Т. 52, № 7. - С. 1434-1437.

45. Берегов А.С. Мапштостатические волны в многослойных структурах с учетом ширины ферритовой пленки // Изв. вузов СССР. Радиоэлектроника. 1982. - Т. 25, № 8. - С. 36-43.

46. Васильев И.В., Макеева Г.С. Распространение магнитостатиче-ских волн в металлизированной ферритовой структуре конечных размеров // Радиотехника и электроника. 1984. - Т. 29, № 3. -С. 419-423.

47. Гречушкин К.В., Стальмахов А.В., Тюлюкин В.А. Распространение магнитостатических волн в ферритовых волноводах // Радиотехника и электроника. 1990. - Т.35, № 5. - С. 977-985.

48. Storey В.Е., Tooke А.О., Cracknell А.Р., Przystawa J.A. The determination of the frequencies of magnetostatic modes in rectangular thin films of ferrimagnetic yttrium iron garnet // J. Phys. C.: Solide State Phys. 1977. - У. 10. - P. 875-887.

49. Sparks M. Ferromagnetic resonance in thin films. Theory of normalmode frequencies // Phys. Rev. B. -1970. -V. 1, № 9. -P. 3831-3856.

50. Schneider B. Effect of crystalline anysotropy on the magnetostatic spin wave modes in ferromagnetic plates И Phys. Stat. Sol. 1972. -V. B-51, № 1. - P. 325-338.

51. Vittoria C., Wilsey N.D. Magnetostatic wave propagation losses in an anisotropic insulator // J. Appl. Phys. -1974. V. 45, №> 1. - P. 414-420.

52. Bajpai S.N., Rattan I., Srivastava N.C. Magnetostatic volume waves in dielectric layred structure: effect of magnetocrystalline anisotropy // J. Appl. Phys. 1979. - Y. 50, № 4. - P. 2887-2895.

53. Lemons R.A., Auld B.A. The effect of field strength and orientation on magnetostatic wave propagation in an anisotropic ferrimagnetic plate // J. Appl. Phys. 1981. -V. 52, № 12. - P. 7360-7371.

54. Берегов А.С. Распространение магнитостатических волн в структуре с касательно намагниченным анизотропным ферри-товым слоем // Изв. вузов СССР. Сер. Радиофизика. 1983. -Т. 26, №3,-С. 363-369.

55. Галкин O.JL, Зильберман П.Е. Анизотропно дипольные волны в слабоодноосных ферритовых пленках // Письма в ЖТФ. 1984. - Т. 10, Вып. 17. - С. 1077-1080.

56. Чивилева О.А., Гуревич А.Г., Эмирян JLM. Влияние кубической анизотропии на спектр поверхностных спиновых волн в пленке с плоскостью {111} // ФТТ. -1987. Т. 29, № 1. - С. 110-115.

57. Зависляк И.В., Талалаевский В.М., Чевнюк Л.В. Особенности спектров магнитостатических волн, обусловленные анизотропией // ФТТ. 1989. -Т. 31, № 5. - С. 319-321.

58. Зильберман П.Е., Куликов В.М., Тихонов В.В., Шеин И.В. Магнитостатические волны в пленках железоштриевого граната при слабом подмагничивании // Радиотехника и электроника. -1990. Т. 35, № 5. - С. 986-991.

59. Bobkov V.B. and Zavislyak I.V. Electromagnetic waves in anisotropic multilayer ferrite structures with trigonal symmetry under parallel magnetization // Phys. Stat Sol. 1993. - V. B-176. - P. 227-236.

60. Castera J.P. Magnetostatic wave temperature coefficients // Proc. RADC Microwave MagneticsWorkshop. 1981. - P. 178-186.

61. Okada F. and Rai E. Temperature characteristics of microwave YIG delay line using magnetostatic waves // Defense Acad. Japan. -1973.-У.ХП1.-Р. 1-10.

62. Ishak W.S., Reese E., Baer R. and Fowler M. Tunable magnetostatic wave oscillators using pure and doped YIG films If IEEE Trans, on Magnetics. 1984. -V. MAG-20. -P. 1229-1231.

63. Беляков C.B., Городайкина О.А. Температурные зависимости частоты ферромагнитного резонанса ферритового элипсоида с кубической кристаллографической анизотропией // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1986. - Вып. 7(391). -С. 28-33.

64. Берегов А.С., Кудинов Е.В., Ерещенко И.Н. Улучшение термостабильности устройств на магнитостатических волнах // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1987. - Вып. 1(395).-С. 19-21.

65. Берегов A.C. Управление спектром и групповой скоростью маг-нитостатических волн // Радиотехника и электроника. 1983. -Т. XXVIII, № 1.-С. 127-131.

66. Луцев JI.B., Березин И.Л. Термостабильность параметров маг-нитостатических волн, распространяющихся в пленках с произвольным направлением подмагничивания И Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1989. - Вып. 6(420). - С. 3-8.

67. Фетисов Ю.К. Термостабильная ориентация пленки феррита в устройствах на магнитостатических волнах // ЖТФ. 1987. -Т. 57, №12.-С. 2393-2397.

68. Славин А.Н., Фетисов Ю.К. Влияние ориентации постоянного магнитного поля на дисперсионные характеристики волн намагниченности в пленках железоиттриевого граната // ЖТФ. -1988. Т. 58, № 11. - С. 2210-2218.

69. Белицкий A.B. Ферритовые материалы с повышенной термостабильностью намагниченности насыщения // Электронная техника Сер. 1. Электроника СВЧ. -1983. -Вып. 3(351). С. 56-59.

70. Савин А.К., Иванов В.П., Владимиров В.М., Васильев М.Ю. Некоторые вопросы разработки устройств на МСВ // Тезисы докладов IV Всесоюзной школы-семинара «Спинволновая электроника СВЧ». Львов, 1989. - С. 14-15.

71. Тихонравова Л.В., Суханов А.Г. Термостатирование устройств на магнитостатических волнах с помощью батареи Пельтье // Тезисы докладов IV Всесоюзной школы-семинара «Спинволновая электроника СВЧ». Львов, 1989. - С. 27-28.

72. Ляшенко Н.И., Талалаевский В.М., Чевнюк Л.М. Влияние температуры и упругих напряжений на дисперсионные характеристики поверхностных магнитостатических волн Н Радиотехника и электроника. 1994. - Т. 39, № 7. - С. 1164-1169.

73. Бондаренко Г.Г., Шагаев В.В. Повышение термостабильности спин-волновых характеристик ферритовых пленок // Перспективные материалы. 2000. - № 5. - С. 33-37.

74. Шагаев В.В. Исследование температурных характеристик спиновых волн в пленках кубических ферритов // Материалы международной конференции «Физика электронных материалов». Калуга, КГПУ, 2002. С. 271.

75. Дудко Г.М., Казаков Г.Т., Сухарев А.Г., Филимонов Ю.А., Ше-ин И.В. Магнитостатические волны в косонамагниченных слоях анизотропного феррита // Радиотехника и электроника. 1990. -Т. 35, №5.-С. 966-976.

76. Bondarenko G.G. Shagaev V.V. Thermostability of magnetostatic waves in ferrite films with cubic anisotropy // Proc. of the У

77. Russian-Chinese Int. Symp. "Advanced materials and processes". -Baikalsk, 1999. -P. 136.

78. Bondarenko G.G. Shagaev Y.V. Temperature stabilization of mag-netostatic waves dispersion characteristics in ferrite films // Proc. of the V Russian-Chinese Int. Symp. "Advanced materials and processes". Baikalsk, 1999. - P. 169.

79. Шагаев B.B. Термостабильная ориентация пленки феррита с кубической анизотропией в устройствах на магнитостатических волнах // Радиотехника и электроника. 2000. - Т. 45, № 4. -С. 481-486.

80. Шагаев В.В. Термостабилизация частоты и групповой скорости магнитостатической волны в пленке кубического феррита // ЖТФ. 2000. - Т. 70, № 9. - С. 99-102.

81. Шагаев В.В. Температурные характеристики МСВ в пленках ЖИГ с нормалью в плоскости {100} // Тезисы докладов «Шестой школы по спин-волновой электронике СВЧ». Москва, ИРЭРАН, 1993-С. 11-12.

82. Шагаев В.В. Особенности термостабилизации частот ООМСВ в пленках ЖИГ с осью на поверхности // Тезисы докладов семинара «Магнитоэлектронные устройства СВЧ». Киев, Общество «Знание» Украины, 1993. - С. 14-15.

83. Шагаев В.В. Влияние кубической анизотропии на температурные характеристики магнитостатических волн в ферритовых пленках, намагниченных в плоскости // ЖТФ. 1998. — Т. 68, №10.-С. 99-103.

84. Бондаренко Г.Г., Шагаев В.В. Анизотропия спектра поверхностных магнитостатических волн в пленках железоиттриевого граната // Труды X Межнационального совещания «Радиационная физика твердого тела». Москва, МГИ-ЭМ, 2000.-С. 508-511.

85. Шагаев В.В. Повышение термостабильности устройств на обратных объемных магнитостатических волнах в пленках кубических ферритов // Письма в ЖГФ. 2002. - Т. 28, Выл 12. - С. 27-32.

86. Damon R.W., Eshbach J.R. Magnetostatic modes of a ferromagnetic slab //J. Phys. Chem. Solids. 1961. -V. 19, № 3-4. - P. 308-320.

87. Фетисов Ю.К., Преображенский B.JI. Анизотропное распространение магнитостатических волн в касательно намагниченных пленках феррита // ЖТФ. -1987. Т.57, № 3. - С. 564-566.

88. Bongianni W.L., Collins J.H., Pizarello F.A. and Wilson D.A. Propagating magnetic waves in epitaxial YIG // IEEE Int. Microwave Symp. Digest Dallas, 1969. - P. 376-380.

89. Шагаев В.В. Исследование полевых зависимостей частот поперечных МСВ в касательно намагниченной ферритовой пленке // Тезисы докладов «Шестой школы по спин-волновой электронике СВЧ». Москва, ИРЭ РАН, 1993. - С. 9-10.

90. Шагаев В.В. Зависимость частот магнитостатических волн от напряженности поля подмагничивания в ферритовых пленках // ФТТ. 1998. - Т. 40, № 11. - С. 2089-2092.

91. Бондаренко Г.Г., Шагаев В.В. Температурные характеристики магнитостатических волн в Ga, Sc-замещенных пленках железоитгриевого граната // Перспективные материалы. 2001. - № 2. -С. 28-31.

92. Bondarenko G.G. Shagaev V.V. Materials for thermocompensated magnetostatic wave devices // Proc. of the sixth Sino-Russian Int. Symp. on new materials and technologies. Beijing, 2001. - P. 411.

93. Бондаренко Г.Г., Шагаев B.B. Материалы с термокомпенси-рующими свойствами для устройств на магнитостатических волнах // Перспективные материалы. 2002. - № 2. - С. 45-49.

94. Бондаренко Г.Г., Шагаев В.В. Температурная стабильность спин-волновых характеристик пленок Ga, La-замещенного же-лезоиттриевого граната // Труды XII Международного совещания «Радиационная физика твердого тела». Москва, МГИЭМ, 2002.-С. 378-382.

95. Шагаев В.В. Метод измерения магнитных параметров пленок кубических ферритов для спин-волновых устройств // Материалы международной конференции «Физика электронных материалов». Калуга, КГПУ, 2002. - С. 399.

96. Дудоров В.Н., Рандошкин В.В., Телеснин Р.В. Синтез и физические свойства монокристаллических пленок редкоземельных феррит-гранатов // УФН. 1977. - Т. 22, № 2. - С. 253-293.

97. Луговской A.B., Щеглов В.И. Спектр обменных и безобменных спин-волновых возбуждений в пленках ферритов-гранатов // Радиотехника и электроника. 1982. - Т. 27, № 3. - С. 518-524.

98. Берегов A.C., Кудинов Е.В., Обламский В.Г. Определение параметров эпитаксиальных пленок железо-иттриевого граната // Изв. вузов. СССР. Радиоэлектроника. 1986. - Т. 29, № 7. -С. 37-42.

99. Bobkov V.B., Zavislyak I.V. About the determination of an epitaxial ferrite films magnetic parameters // Тезисы докладов «Шестой школы по спин-волновой электронике СВЧ». Москва, ИРЭ РАН, 1993.-С. 169-170.

100. Зюзин А.М., Радайкин В.В., Бажанов А.Г. К вопросу об определении поля магнитной кубической анизотропии в (111) ориентированных пленках методом ФМР Н ЖТФ. -1997. Т. 67, № 2. - С. 35-40.

101. Зависляк И.В., Романюк В.Ф. Определение магнитных материальных параметров пленок железоиттриевого граната по спектрам магнитостатических колебаний // Укр. физ. журн. 1989. -Т. 34,№10.-С. 1534-1536.

102. Гусев Б.Н., Чивилева О.А., Гуревич А.Г., Эмирян Л.М., Нароно-вич О. Б. Затухание поверхностной магнитостатической волны // Письмав ЖТФ. -1983. Т. 9, № 3. -С. 159-163.

103. McCollum B.C., Bekebrede W.R. Refractive index measurements on magnetic garnet films ft Appl. Phys. Lett. 1973. - V. 23, № 12. -P. 703-703.

104. Мощалков A.B., Зайончковский B.C. Особенности применения метода интерференции для измерения толщины диэлектрических пленок // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. -1989. Вып. 3(240). - С. 72-74.

105. Hansen P., Roschmann P. and Tolksdorf W. Sutaration magnetization of gallium-substituted yttrium iron garnet U J. Appl. Phys. -1974. V. 45, № 6. - P. 2728-2732.

106. Hansen P. Anisotropy and magnetostriction of gallium-substituted yttrium iron garnet // J. Appl. Phys. -1974. V. 45, № 8. - P. 3638-3642.

www.dissercat.com

Эпитаксиальных — Метка

Номер патента: 204088

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Сплавов, Чист, Московский

МПК: C23C 16/08, C23C 28/00

Метки: соединений, эпитаксиальных, элементарных, химических, слоев, веществ

...конденсацией из пара в вакууме вначале получают гетероэпи.таксиалыный слой металла на полупроводнике и его последующим вплавлением добиваются создания равномерного тонкого слоя жидкой фазы, из которои происходит процесс автоэпитаксии полупроводника, легированного заданной примесью (получение электронно.30 дырочного р-п, гг-р - пепехода) с образоча204088 Предмет изобретения Составитель О. Федюнина Редактор А. Шиллер Текред А, А. Камышникова Корректоры; О, Б, Тюрина и С, ф, ГоптаренкоЗаказ 3832/8 Тираж 535 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д, 4 Типография, пр. Сапунова, 2 нием на поверхности металлического слоя, обеспечивающего омический контакт. Причем без...

Номер патента: 433570

Опубликовано: 25.06.1974

Авторы: Чеховской, Митрофанов, Смирнов

МПК: H01L 21/304

Метки: удаления, дефектов, выступающих, слоев, поверхности, эпитаксиальных

...удаляя выступающие дефекты, могутповредить эпптаксиальный слой.Цель изоорстения - создание способа, позволяющего повысить качество поверхностиэпитаксиальных слоев, т. е. удалить острые10 выступающие дефекты без влияния на остальную поверхность эпитаксиального слоя,Это достигается тем, что предварительновсю поверхность эпитаксиального слоя окисляют, а шлифование осуществляют с по 15 мощью плоского полировальника с канавкаНа чертеже схематически представлена полупроводниковая пластина с эпитаксиальнымслоем на операции обработки с помощью20 плоского полировальника,По предлагаемому способу после эпитаксиального выращивания слоя 1 на полупроводниковой пластине 2 всю поверхность эпитаксиального слоя 1 окисляют. Окисел выполня 25 ет функцию...

Номер патента: 458720

Опубликовано: 30.01.1975

Авторы: Ваганов, Пономарев

МПК: G01L 7/04

Метки: эпитаксиальных, преобразователей, малогабаритных, мембран, давления, планарно

...сообщающие полость сильфона с измеренной средой,На чертеже показан предлагаемый датчик.Датчик содержит корпус 1 со штуцером 2, сильфон 3, пружину 4, электромеханический преобразователь 5 и нагреватель б, например, электрический.Нагреватель изолирован от,внутренней полости 7 сильфона кожухом 8. В основании 9 штуцера выполнены радиальные каналы 10. Нагреватель служит одновременно ограничителем хода сильфона,Работа датчика заключается в преобразовании давления жидкой или газообразной агрессивной высокотемпературной среды в электрический выходной сигнал с помощью сильфона 3, пружины 4 и электромеханического преобразователя 5. Измеряемая среда поступает через штуцер 2 в полость 7 по части 11 штуцера и по каналам 10.Рабочее тело -...

Номер патента: 401272

Опубликовано: 25.02.1975

Авторы: Селиверстов, Райнова, Чистяков, Райнов, Данилков, Палиенко, Гулидов

МПК: H01L 7/68

Метки: слоев, эпитаксиальных

...подложек 6 и выполнен, например, из графита в виде П-образных петель, имеющихвертикально расположенные рабочие поверхности, на которых размещены подложки, Ко 30 личество П-образных петель, крепящихся на Однако неконтролируемыи характер газодинамических параметров (линейная скорость потока парогазовой смеси в разных точках реакционных камер) в таких установках приводит к нарастанию слоев или пленок, неравномерных по толщине. Эта же причина вызывает неравномерное легирование по площади растущих эпитаксиальных слоев. Кроме того, значительная длина трубопроводов газовакуумной системы на участке между испарителем и реакционной камерой не позволяет получать высокую чистоту поступающей в реакционную камеру смеси.5 1 О 15 20 25 зо 35 40 45...

Номер патента: 462072

Опубликовано: 28.02.1975

Авторы: Церфас, Альтман, Головнин, Гончар

МПК: G01B 19/36

Метки: пленок, эпитаксиальных, толщины

...изменение величины фото-э,д.с. между плецкои: подложкой при воздействии .ца пленку локальцого ддвлсиия. Ооъясияетй техники имени В. И. Ленина)1 дс и - коэффицисит пропорциональности,постояииьш в области упругой деформации. С другой стороны, величина фото-э.д.с. Па р - гг переходе пропорциональна отиошсшцо г/г., где /. - ток, ооусловлеииый генерацией носителей светом, / - обратцый ток р - г переХода. ИЗМСИСИИЕ /г - ОбратИОГО тОКа, ВЫЗЫ- вающес измсцсиис фото-э.д.с., связаио с измецеиием ширины запрещеииой зоиы полупро- ВодцИКОВОГО МяТСРИяЛя ОТ дяВЛЕИИя. Мосицо показать такке, что отиошсиис измеиеция фото-э.д.с, к измсиси;о давления, тридокеиио- ГО 1" ПЛСИКС, 001 сТИО-П 1 ОИ 01 ЗЦИСИсЛЬИ)0 ТОЛ)цпие плеики.Величииу измсиеция фото-э.д.с....

Номер патента: 496873

Опубликовано: 25.12.1975

Авторы: Коробов, Хлебников, Маслов

МПК: H01L 7/36

Метки: фазы, твердых, например, слоев, растворов, газовой, эпитаксиальных, полупроводников

...уменьшении п,гг)ц)ди неоднородных по составу пластин источника).5При достижении указанной скорости смены источников слоистая неоднородность полученного твердого раствора не превышает период, равный одному чежатомному расстоянию. Вследет зщ этого дгье медленный процесс самодиффузии в тве)одоч теле обеспечи О виет плное выравнивание концентраций комПг Ргсцт)ЛЗ; ВЕР,Г)го Р )С .Ра .:ЕЖДУ СОСЕДНИ.;:.)Точны чи с;гон )следовательно, по всем, ) оъечу эг.таса,.ьцой пленки.ЗадаРВ): . ) гав твердого раствора обес 15 печивается благодаря использованию пластин источников различных по размеру.Для иолучеция твердого раствора на основе соединений АВ ц АВ соотношение углов секторов используемых источников должно быть пропорционально их мольной доли в 2...

Номер патента: 561926

Опубликовано: 15.06.1977

Авторы: Церфас, Альтман

МПК: G02F 1/00

Метки: слоев, диффузионных, эпитаксиальных, толщины, кремния

...границы, а металлическим зондом осуществляют давление на пластину в пределах упругих деформаций.10 Способ основан на том, что под давлением:пирина запрещенной зоны кремния уменьшается. Следствием этого свойства является интенсивное поглощение кремнием света с длиной волны более .р (красная граница) в об ластях, подвергшихся давлению. Поглощениесвета приводит к генерации подвижных носителей в той же области и возникновению фото-ЭДС на р - и переходе. Если давление создавать точечным зондом, то область сдавлен ного кремния и, следовательно, область генерации подвижных носителей определится размерами зонда, снлои давления н может быть сделана значительно меньше размеров измеряемых слоев и размеров элементов интег ральных схем. В этом...

Номер патента: 392857

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Коган, Дененберг, Деготь, Царенков, Яковлев, Гофштейн-Гардт, Шкармутин, Дохман, Дмитриев

МПК: H01L 21/20

Метки: эпитаксиальных, аппарат, полупроводниковых, слоев

...как в условиях отсутствия фазового равновесия между компонентами раствора-расплава (открытый объем), так и в условиях фазового равновесия,(закрытый, объем). Это достигается тем, что внутренняя Мамера аппарата снабжена подвижвымв герметиэиру 3 ощими пробками и расположена в температурной зоне нагревателя,На чертеже показан предлагаемый аппарат.Аппарат содержит камеру 1 с отверстиями для продувания рабочего газв, нвгре ватель 2, кварцевую трубу 3 е конически ми шлифами и пробками 4 из кварца, зв крепленными на штоках 5; Каждый шток соо. тоит иэ двух частей, соединенных между собой. полусферическим шарниром 6 и имеет ручной привод, сосгояший иэ маховика 7 и пружины 8, которая поджимает шток к трубе Э. В месте выхода из рабочей...

Номер патента: 513575

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Сушко, Марончук, Пухов

МПК: H01L 21/20

Метки: слоев, эпитаксиальных, поверхности, легированных, кремнием

...легированнь ченных методом жидкос личаюшийс яте ворения избыточного кр шают в,раствор-расплав 3-10 вес. % алюминия галлия при 800-850 С рхностих кремнитной эпи итаксиальм, полуксии о т м, что,емния,, содери 90-9 елью р омеес, % в течение Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для получения эпитаксиальных р-и структур на основе арсенида галлия, предназначенных для изготовления ИК-светодиодов. 5Известен способ получения р-и структур из ограниченног раствора-расплава, Использование этого способа при получении сильно легированных кремнием эпитаксиальных слоев приводит к образованию на поверхности слоевО арсенида галлия дентритов кремния.Целью изобретения является получение р-п структур арсенида галлия...

Номер патента: 612316

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Хлебников, Гольдин, Куклев, Маслов, Демьянец, Коробов, Юшков

МПК: H01L 21/20

Метки: выращивания, структур, эпитаксиальных, фазы, газовой

...ВГЫрац)ГВЕЕ,4 ЫХ ЭПИ т. ЯКСИЕГ 1 Ь-ных структур.1 ЦЕПЬО ИЗ О 6 ГтЕТЕНтня явпяэтся у;,Е-, т ГЧ - ,цие производительности устройства иповышение однородности параметров получаемых эпнтаксиальцых структур,Достигается это тем, что:; извесллв ном густройстве, содержащем нагреваТЕЛИ ИСТОЧНИКЕ И ПОДЛОЖКИ, ВЕРТИКЯ;тьный трубчатый реактор со штуцерамиддя ввода и вывода газа, расположенныйв нем блок для размещения подложек иустановленный параллецьцо ему блок дпяРаЗМЕШЕЦИЯ ТВЕРДЫХ ИСТОЧНИКОВ, ПРГНЕМблоки закреплены ца соосных штокахпроводящих через пх центр и связанныхс приводами для вращения и перемеще.ния, блоки для крепления источников иподложек выполнены в виде дисков, периферийная часть которых выполнена в виде плоских сплошных...

Номер патента: 612317

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Маслов, Коробов, Хлебников, Гольдин, Бочкарев

МПК: H01L 21/20

Метки: выращивания, газовой, эпитаксиальных, структур, фазы

...блок 10, шток 11, уппогнения 12 и 13, привод. 14, нагреватель 15, кварцевую трубку 16, штуцеры 17 и 18, смотровые окна 19 и 20, бортик . 55 21, источник 22, подножку 23, средство крепления 24, В устройстве кварцевый трубчатый реактор 1 эакаочен в метаппический водоохпаждаемый кожух 2 Граитовый бпок 5 со средством креппения 24 источников 22 выполнен в виде плоского диска с бортиками 21, ограждающими со всех сторон каждый источник, и закреппен на штоке 6, соединенном с приводом 7. Средства креппения 24 выполнены, например, в виде винта с шайбой. Над графитовым блоком 5 установлен нихромовый нагреватель 8, заключен ный в кварцевую трубку 9. Трубка 9 выполнена в виде плоской спирапи. Кварцевая трубка 9 с нагревателем 8 через уплотнение (на...

Номер патента: 612610

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Николас, Джон, Гленн

МПК: B01J 17/32

Метки: слоев, эпитаксиальных, кремния

...на полом основанииб, внутрь которого при помощи впускного 7и выпускного 8 каналов может подаваться вола.Внутри камеры 1 установлена подставка 9,вращающаяся на вертикальной оси 10 и изготовляемая, например, из углерода. Подставка имеет форму шестигранной усеченной призмы, у которой каждая из шести наклонныхповерхностей 11 снабжена буртом 12 для установки на нем обрабатываемой полупроволниковой подложки 13.Ось 10 установлена на вертикальном валу 14, помещенном внутри муфты 15 и снабженном подшипником 16. Нижний конец вала 14 снабжен шкивом 7, который приводится в движение через ременную передачу 1825 от двигателя 19 с регулируемой скоростью.При работе реактора подставка 9 медленновращается в циркулирующих через камеру 1газа х.Смесь...

Номер патента: 653586

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Бурлаков, Кукушкин, Эленкриг, Люзе, Красильников

МПК: H01L 21/66

Метки: пригодности, диодов, ганна, пленок, эпитаксиальных

...что средний за пе О риод ганновских колебаний ток через диод (при полях выше порогового):Змакс мин 21 (Г 1+2 а)+эмин Г1 2близок к Эмщ,.Пролетный режим работы диода Ганна реализуется в апериодическом контуре, который характеризуется тем,что его резонансная частота много 2 Обольше пролетной, а нагрузкой является сопротивление, величина которогомного меньше сопротивления образца.Измерительная установка (фиг. 3)состоит из генератора 1 импульсов,последовательно включенного эмиттерного повторителя 2, к эмиттеру которого подключены апериодический контур3 и клемма 4, Одновременно с клеммы4 подается сигнал на вход усилителягоризонтальной развертки осциллографа 5В коллекторную цепь эмиттерного повторителя включена батарея б,эашунтированная...

Номер патента: 736219

Опубликовано: 25.05.1980

Авторы: Шаховцов, Курицын, Мокрицкий

МПК: H01L 21/263

Метки: слоев, кремния, эпитаксиальных

...точечных. дефектов. При энергии электронов менее 4 МэВколичество и стабильность названных дефектовнедостаточны для образования явно выраженногоградиента концентрации носителей заряда, Кро.ме того, при таком значении энергии частиц,набор необходимой дозы облучения происхо 119 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 диз гд время 1 е.41 нпее пр к 1 ичееки 1 еие.1 е сообрд 1 ным ие 1 дх 11 кндние дко 1 н способа. Принергил чдси 11 бо 11 ее 5 МВ количество дефек 1 ов и их евойс 1 вд дков 11, 1 го обрд 1 уюзся необратимы и 1 менения с 1 рук 1 урпых свойств исходно 1 о м;периен 1 д, ухудшающие основные пдрдме 1 ры приборов, создаваемых на его основе, В связи с эим оптимальным следует считать диапазон значений быстрых электронов от 3 до 5 МэВ.П р и м е...

Номер патента: 862087

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Ходосов, Галкин, Чиркин, Кожухарь

МПК: G01R 33/12

Метки: эпитаксиальных, систем, параметров, ферритгранатовых

...анизотропии). Преимуществом является и то, что угловая зависимость Нр, при изменении У= ОСРнезначительно меняется в пределах + 20 эпри вращении магнитного поля в плоскости пленки.20Предлагаемый способ реализуется последовательным получением и обработкойспектров ФМР в двух характерных областях частот при различной ориентации магнитного поля Н 0 относительно ОЛН (ось длегкого намагничивания).1, Зались спектров магнитного резонанса в области фазового перехода насыщенное состояние - ненасыщенное состояние доменной структуры для определенияНр 1 (магнитная компонента Ъ.1 1, НО).Ц. Получение спектров ФМР Н 0 ОЛНи Н 01 ОЛН на частотах, обеспечивающихрезонанс насыщенного состояния магнитной пленки.Отметим, что в принципе оба спектра35можно...

Номер патента: 791114

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Салащенко, Гапонов, Лускин

МПК: H01L 21/205

Метки: пленочных, структур, эпитаксиальных

...выбор той или иной установки опгеделяется требованиями, прельявляемыми к толщине пленок и их электрофизическим свойствам.Установка содержит два лазера, один из которых работает в режиме свободной генерации, а другой в режиме модулированной добротности с интенсивностью излучения на поверхности испаряемого материала не менеее 109 Вт/см. Второй лазер используется в качестве источника высокоэнергетичных частиц. Монокристаллическая подложка, на которую наносят компоненты гетероструктуры, и вращающийся столик, на котором размещены образцы напыляемых материалов, установлены в вакуумной камере. Режим работы установки задается блоком управления.Подложка представляет собой моно- кристалл или любую многослойную структуру, поверхность которой...

Номер патента: 983444

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Цопкало, Светличный

МПК: G01B 7/06

Метки: слоев, эпитаксиальных, диффузионных, толщины

...или эпитаксии, что позволяет своевременно обнаружить бракованные полуфабрикаты и устранить отклонение в техническомсрежиме. Простота способа и применение недорогостоящего оборудования для его реализации позволяет использовать его на предприятиях страны, выпускающих микроэлектронные приборы. Формула изобретения Способ измерения толщины диффузионных и эпитаксиальных слоев полупроводниковой пластины, заключающийся в том, что пластину помешают на металлическом основании и производят давление металлическим зондом на пластину со стороны диффузионного или эпитаксиального слоя в пределах упругих деформаций, о т л и ч а ю ш и й с я тем, что, с целью повышения локальности, точности измерения и упрошенияспособа, на измеряемую пластину...

Номер патента: 427557

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Вагин, Николаева, Скворцов, Лапидус

МПК: C30B 25/02

Метки: кремния, эпитаксиальных, слоев

...не наблюдается ухудшения структуры нарастающего слоя при концентрациях водяных паров вплоть до2110 мол.%. Наоборот, значительноуменьшается количество дефектовупаковки. Во избежание заметноговлияния на скорость роста гидролиза 60паров четыреххлористого кремния во-дяные пары следует вводить непосредственно в реакционную камеру, Поскольку при температурах 1160, СоводянывпаРы при точке росы выше 65-50 о С окисляют кремний, необходимопосле процесса роста производитьотжиг при 1250 ф С для удаления остатков влаги из газовой фазы. Продолжительность отжига определяетсягеометрией реактора, расходом водорода и не превышает 1-5 мин, т.е.времени, принятого по суцествующейтехнологии.П р и м е р 1. Эпитаксиальныеслои кремния акцепторного типа...

Номер патента: 1059028

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Одарич, Рубан, Данилов

МПК: C30B 1/02

Метки: эпитаксиальных, структур, гранатов

...виде квадратных пластин с размером ребра 7 мм.Образцы разделены на 3 группы и лодвергнуть 1 обработке: первая группа - в окиси гал" лия при различных режимах; вторая - в окиси алюминия лри различных режимах; третья. - в окиси кремния при различных режимах. Контроль парамет. ров после обработки (измерение гра диента показателя преломления в диф. Фуэионных слоях и толщина этих слоев проведен отдельно в каждом образце элипсометрическим методом.П р и м е р 1, Обработка в порошке оксида галлия. Структуру ЖИГ на подложке ГГГ помещают в мелкощюсперсный порошок окиси галлия (в кераммическом тигле 1, тщательно утрамбовывают порошок в тигле и устанавливают его в отжиговую печь. Температуру поднимают по 150-200 оС/ч до 1100 ОС, далее пленку...

Номер патента: 322115

Опубликовано: 30.01.1984

Авторы: Скворцов, Лапидус, Сирятская, Жигач

МПК: H01L 21/205

Метки: слоев, эпитаксиальных

...недостатков. Метод жидкостноголегирования связан с использованиемвзрывоопасного трибромида бора иочень летучего трихлорида бораКроме того, получение заранее заданного номинала удельного сопротивления затруднено обменной реакциейтрибромида бора и тетрахлорида 25кремния.Цель изобретения - создание способа получения из газовой фазы легированных бором полупроводниковыхматериалов, обладающего высокой воспроизводимостью, щироким диапазономлегирования, простотой техническогооформления, надежностью и стабильностью при эксплутации.Предлагаемый способ отличаетсяот известных тем, что в качестве35легирующего соединения бора используют карборановые соединения, в частности изопропилкарборан,Низкая упругость насыщенного паракарборана...

Номер патента: 1073564

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Силантьев, Косыгин, Журба

МПК: G01B 9/02

Метки: эпитаксиальных, слоев, толщины

...двумя сферическими зеркалами, установленными в ходе лучей, отраженных от первого зеркального блока, и зеркальным умножителем, выполненным в виде двухплоских зеркал, одно из которых установлено неподвижно, а другое - на общем основании с подвижным зеркалом второго зеркального блока под тупым углом к нему.На чертеже представлена схема устройства.Устройство содержит два параллельноустановленных источника 1 и 2 монохроматического и немонохроматического излучения и последовательно расположенный по ходу излучения от источников светоделитель 3, выполненный в виде плоского зеркала, расположенного под углом 45 к оптической оси устройства, зеркальный блок, выполненный в виде двух плоских зеркал 4 и 5, установленных на общем основании таким...

Номер патента: 1081490

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Коваль, Фукс, Михайлов, Алавердова

МПК: G01N 23/20

Метки: упругой, системах, деформации, эпитаксиальных

...предварительнопроизводят его стандартную юстировкуи находят отражение с углом Ю , близким к 45 о. Затем вращением образцавокруг главной оси гониометра при неподвижном счетчике (ш - сканированиепредварительно находят максимум интенсивности отражения от плоскостей(Ь;,К;,1-) подложки, После этого передсчетчиком устанавливается узкая щельи вращением счетчика при неподвижномобразце определяют положение, соответствующее максимуму интенсивностирассеяния. При большой ширине кривойкачания, обусловленной неоднородностью межплоскостных расстояний, принеподвижном счетчике с узкой щельюрегистрируют кривую качания и по положению ее максимума определяют уголповорота образца, соответствующийустановленному положению счетчика.Такая схемка позволяет...

Номер патента: 475917

Опубликовано: 07.07.1984

Авторы: Александрова, Скворцов, Сарнацкий, Уэльский, Вязанкина, Лымарь

МПК: H01L 21/02

Метки: полуизолирующих, эпитаксиальных, слоев, арсенида, галлия

...соединение, разлагаетсяца свету и сильно гидролизуется., Кроме того, для получения эффекталегирования требуется введение очень больших количеств хлористого хромила, что приводит к заметному снижению скорости роста и эррозии поверхности.Целью изобретения является создание простого технологичного способа .изготовления полуизолирующих эпитаксиальных слоев арсецида галлия судельным сопротивлением в зависимости от типа легирующей примеси 10о"30-40 л/ч Сущность предлагаемого способа заключается в легировании эпитаксиальных слоев арсенида галлия из карбоцилов соответствующих металлов, Карбонилы Сг, У, Мо, Ге, Со, И 1 известны, получены и очищены, имеют достаточно высокие упругости паров и распадаются с выделением металла 5917 2прц...

Номер патента: 723986

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Белов, Кондратьева, Юшков, Эрлих

МПК: H01L 21/20

Метки: структур, эпитаксиальных, полупроводниковых

...описанием примера его осуществления.П р и м е р 1, Проводят обработку слитка кремния (ЭКЭС,01-86) диаметром 40 мм до резки последнего на пластины. Слиток разрезают на три части (а, б, в). Боковая поверхность слитка (части а) шлифуется на круглошлифовальном станке алмазным инструментом с номинальным размером зерна 40 мкм (нарушенный слой 20-25 мкм). Часть слитка б подвергают травлению в полирующем травителе типа СРдля удаления нарушенного слоя. Часть слитка в (ростовая поверхность слитка) шлифуют алмазным абразивом с номинальным размером зерна 10 мкм, Затем по известной технологии изготавливают пластины кремния толщиной 250 мкм, ориентации (11 1)2, Процесс эпитаксиального наращивания осуществляют методом восстановления четырех-...

Номер патента: 1322373

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Никонец, Ковалев, Дорман, Барьяхтар, Вайсман

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащих, дефектов, пленках, обнаружения, эпитаксиальных

...учдстк в ндсьпенно чонодоменное) состояние. В реультдте по крдям локального уча ткд Гб;11 уется лоченндя грани д, рд леляющдя 20 .61 чонолоче(нные области с протнвопо ,11 жЫЛ ДНД 5.5 ПЩ М НДМЗГПНЧЕННОСтн.,Ьтел полсч пс пня спичдк т, в резлльтз ЧЕГ РДЗВИВЗСЯ НЕУСтОйЧИПОСтЬ ЛОЧЕН- ной границы, сформированной по краям ,окольного участка. Это приволич к форчировдникч нз нес системы полосовых чз 1 ичпых лочено 5, улчинякцихсл по направ ;с. (1 к, и.рп плнку.ярночу границе лкдль.и го учдсткд о ск чднпи эгого процес СД Н ЛОКД.ЬНОЧ ) сДеть. 1 ЧС Л КаРтнНУ Р 1,ИДЛЬНОХОЛЯЦХСЯ ПО,ОВЫХ ЛОМЕНОВцентром строо середине локального (дсткд ри зли ии леректд нз иссле,счоч учасгк пленки после снятия по.чя смсщения перемдгпичивание пленки...

Номер патента: 1341679

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Вайсман, Семенцов, Герасимчук, Хома, Ильчишин

МПК: G11C 11/14

Метки: монослойных, автосмещения, эпитаксиальных, отжига, пленок, феррит-гранатовых, создания

...предприятие, г.ужгород, ул.Проектная, 4 1 13416Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающихустройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).Цель изобретения - упрощение технологии получения эпитаксиальныхферрит-гранатовых пленок с. автосмещением, 10Способ осуществляется следующимобразом.Подложку с нанесенной на нееэпитаксиальной Феррит-гранатовойпленкой (ЭФГП) помещают в вакуумнуюотжиговую камеру, обеспечивающуюградиент температуры по поверхностипленки не более двух градусов. Производится безмасляная откачка объемакамеры до величины давления порядка10" мм рт,ст. Включают нагревателькамеры и температуру поднимают дозаданной со скоростью, не превышаюощей...

Номер патента: 1348906

Опубликовано: 30.10.1987

Авторы: Манянин, Дорман, Никонец, Ковалев, Барьяхтар

МПК: G11C 11/14

Метки: феррит-гранатовых, пленок, эпитаксиальных

...ее границы. По мере заполнения видимой области полосоными доменами сигнал на выходе ФЭУ уменьшается и формируется его задний фронт(фиг.2, линия 1),Общая длительность отклика складывается из длительности перемагничивающего импульса 7, и временирелаксации Т;,еф, которая обусловлена аксиально-симметричным движением вершин ПД от краев катушки,т,е, перемагниченной области, к середине.При наличии дефекта внутри катушки релаксация доменной структурыпосле снятия импульсного поля обусловливается совместно протекающимипроцессами движения ПД и зародьппеобразования на дефекте. Скорости движения обеих структур - полосовой, распространяющейся от краев катушки и радиально-гребешковой, распространяющейся от дефекта, - одинаковы,Если дефект...

Номер патента: 1474737

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Ковалев, Никонец

МПК: G11C 11/14

Метки: эпитаксиальных, дефектов, пленках, обнаружения, доменосодержащих

...Раушская наб., д, 4/5 эоизводственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,11 тушки. Об этом можно судить по появлению в пленке системы радиально сходящихся к центру катушки полосовыкдоменов (при отсутствии других полейсмещения). Доменную структуру можнонаблюдать в поляризационный микроскоп, освещая пленку поляризованнымсветом. При подаче на эпитаксиальнуюпленку однородного постоянного полясмещения, направленного встречно вертикальной составляющей импульсного,неоднородного магнитного поля, вокруг дефекта образуется изолированный кольцевой домен, появляющийся вместе раздела двух систем доменов(радиально сходящейся полосовой ирадиально расходящейся из дефекта в.пленке гребешковой) в результате коллапса обеих доменных...

Номер патента: 1573057

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Данильцев, Иванов, Краснов

МПК: C30B 29/40, C30B 25/02

Метки: эпитаксиальных, структур, многослойных

...дувают в течение 5 мин Са(СН) При 600 С расход АяН устанавливают 10 (0,113 ммоль/мин) . Затем подают АяН.а на уровне 0,565 ммоль/мин и подъем (0,170 ммоль/мин) и СеН 4. (5 10 ммоль/рекращают и осуществля- /мин) и осуществляют осаждение слоя ю продувку реактора в течереактора,в течение 4 мин р -СаАя при отношении расходов АяНу Д лее в реактор подают Са(СН )с и Са(СН), равном 1,5, после чего пор сходом , ммол м 0,113 моль/мин и СеН с 15 дачу реагентов прекращают и охлажда 110 + ммоль/мин осущест- ют реактор до комнатной температуры. н е слоя и-СаАя отноше-. + +Полученная структура состоит из ние расходов АяНи Са(СН ) равно 5. р -и-р -слоев СаАя толщиной 0,1, По саждения подачу АяН и 0 3 и О Й мкм соответственно. ПротяС Н прекращают и...

Номер патента: 1597401

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Логинов, Рандошкин

МПК: C30B 19/04, C30B 29/28

Метки: эпитаксиальных, выращивания, феррит-гранатов, пленок

...этого температуру снижают до значения Т= 865-900 Со расплав помещают подложку из гад ний-галлиевого граната с ориентаци К 1597401(111) диаметром 20 мм, предварительно прогретую до той же температуры, Под- е ложку приводят во вращение со скоростью 120-180 об/мин. Наращивание пленок проводят в течение 1-30 мин, после чего подложку извлекают из раствора-расплава, приводят ее в ускоренное вращение для стряхивания капель раствора-расплава и охлаждают.Параметры пленок скорость движения доменных стенок, коэффициент опти- СР ческого поглощения гленок, выращенных при разных составах раствора-расплава и температуре роста, даны в таблице,1597401 Ф ор м у л а и з о б р е т е и и я СоставСодержание компонентов, мол.7) Вьоа Тт Оа Реоа Сатори т, фС...

patents.su

Эпитаксиальные структуры

Распределение примесей в структурах кремния для p-i-n-диодов, варикапов и лавинно-пролетных диодов (ЛПД)

Характеристики эпитаксиальных структур

Технологический комплекс газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

Комплекс AIXTRON-G3 предназначен для производства гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs, InyGa1-yAs/GaAs, InyAl1-yAs/GaAs, InyAl1-yAs/InP (НЕМТ, PНЕМТ, МНЕМТ и др.) для дискретных приборов и МИС СВЧ.

Диодные сборки

Транзисторные сборки

Металлизированные теплопроводы из CVD алмаза

www.istokmw.ru

• 
  Производство индивидуальной пластиковой упаковки из пленки
• 
  Как убрать пленку с холодильника либхер
• 
  Как снимать на пленку в студии
• 
  Оклейка виниловой пленкой авто в омске
• 
  Пленка для hud дисплея своими руками
• 
  Оборудование для упаковки в пленку пиломатериалов
• 
  Разрешена ли атермальная пленка в казахстане
• 
  Бронирование авто пленкой в нижнем новгороде
• 
  Реставрация кухонной мебели пленкой своими руками
• 
  Магазин пленка и шумоизоляция в закамске
• 
  Пленка ракушечник для столешницы на кухне