Книга: «Тонкие ферромагнитные пленки». Пленка ферромагнитная

МАГНИТНАЯ ПЛЕНКА - это... Что такое МАГНИТНАЯ ПЛЕНКА?

- слой магн. вещества (обычно ферро- или ферримагнетика) толщиной от долей нанометра до неск. микрометров с рядом особенностей атомно-кристаллич. структуры, магн., электрич. и др. физических свойств, отличающих плёнку от массивных магнетиков.

М. п.- удобный объект исследования свойств твёрдого тела (в т. ч. магнетизма), а также важный материал совр. техники (интегральной электроники, СВЧ-техни-ки и др. отраслей).

Плёнки получают электролитич. осаждением металлов и сплавов, вакуумным испарением и конденсацией вещества на подложке, катодным распылением мишени, выращиванием из раствора-расплава, методами газотранспортных реакций и др. методами.

Структура и свойства плёнок в сильной степени зависят от темп-ры испарения материала и темп-ры подложки, степени вакуума, чистоты подложки, скорости конденсации и угла падения молекулярного (атомного) пучка на подложку. В частности, состояние и чистота поверхности подложки определяют адгезию и прочность М. п.

При большом переохлаждении и пересыщении твёрдого раствора в М. п. возникают фазовая, структурная и субструктурная неравновесности: реализуются мета-стабильные состояния (см. Аморфные магнетики, Металлические стёкла), высокотемпературные модификации и фазы, сильно пересыщенные растворы, создаются большие макро- и микронапряжения (деформации), в поликристаллич. плёнках возникает очень высокая дисперсность кристаллитов и блоков, сильная разорнентация блоков, избыточная концентрация дефектов решётки (вакансий, дислокаций и др.). Большое влияние на свойства плёнок оказывают разномасштабные поры. Монокристаллич. плёнки с совершенной структурой получают выращиванием на монокристаллич. подложках с решёткой близкого структурного типа и с близкими значениями параметра решётки (молекуляр-но-лучевая эпитаксия, газофазная, жидкофазная эпитаксия и др.).

При исследованиях М. п. из-за малого объёма магн. вещества обычно приходится применять высокочувствит. приборы и методы [феррозонд, вибрац. магнитометр, магнитометр на эффекте Джозефсона (см. Сквид), торсионный анизометр, методы магнитного резонанса на СВЧ и др.]. В то же время малая толщина М. п., их прозрачность или зеркальная поверхность позволяют применять для исследования плёнок оптич. и магнитооптич. методы (основанные на Керра эффекте и Фарадея эффекте), эллипсометрию, а также методы просвечивающей электронной микроскопии, обладающие высоким пространств. разрешением.

Принципиальным вопросом физики тонких плёнок является изучение т. н. размерных эффектов (изменение физ. свойств при уменьшении толщины плёнок по сравнению со свойствами массивного магнетика). Изучение температурной зависимости спонтанной намагниченности Ms сверхтонких М. п. позволяет проверять квантовую теорию обменного взаимодействия электронов в двумерных атомных решётках, выявлять поверхностный магнетизм, поверхностную магн. анизотропию. Прямое и косвенное обменное взаимодействие электронов изучается на специально приготовленных плёнках с "модулированной" атомной структурой (система чередующихся магн. и немагн. слоев толщиной в один или неск. нанометров).

Эксперименты показали, что заметное уменьшение М s наступает лишь в М. п. толщиной менее десятка атомных слоев (нм) и у этих же плёнок обнаруживается век-рое снижение темп-ры Кюри. С области низких темп-р Т наблюдается переход от известного Блоха закона , выполняющегося для толстых ферромагн. плёнок, к почти линейному спаду намагниченности с темп-рой в сверхтонких М. п. Правда, такие "олигатомные" плёнки чаще всего уже не являются однородными, а имеют островковую структуру.

Спонтанная намагниченность Ms М. п. определяется не только хим. составом, но и фазовым состоянием конденсата, зависящим от условий осаждения.

Фундам. свойством М. п. является магнитная анизотропия, характеризуемая типом симметрии, ориентацией осей лёгкого намагничивания, энергетич. константами или напряжённостью Н А эффективного поля анизотропии. Наряду с магнитостатич. анизотропией формы и естеств. кристаллографич. магн. анизотропией в монокристаллич. М. п., в текстурированных поликри-сталлич. плёнках (Со, MnBi и др.) может существовать значит. наведённая анизотропия разл. природы: магнитоупругая (магнитострикционная) анизотропия; анизотропия направленного упорядочения атомов, осуществляющегося в процессе роста и термообработки М. п.; анизотропия направленного роста зёрен; ориентация вытянутых пор; анизотропия распределения магн. и немагн. примесей по границам зёрен и др. При осаждении плёнок после термич. испарения в вакууме в М. п. возникает анизотропия, вызванная наклонным падением атомов на подложку с образованием цепочек кристаллитов (механизм самозатенения), с наклонной столбчатой структурой. При эпитаксиальном росте М. п. из жидкой фазы со сложным ионным составом, напр. плёнок редкоземельных ферритов-гранатов, возникает ростовая анизотропия, обусловленная избират. осаждением разл. ионов в "открытые" додекаэдрич. позиции определённой плоскости роста.

Результирующая анизотропия определяет тип магнитной доменной структуры и характер процессов намагничивания М. п. В плёнках с преобладающей анизотропией формы (фактор качества ) спонтанная намагниченность лежит в плоскости образца, и в этом случае образуются вытянутые т. н. плоские магн. домены (ПМД). Осн. процессом перемагничивания таких М. п. вдоль оси лёгкого намагничивания является движение доменных стенок, наблюдается прямоугольная петля гистерезиса с коэрцитивной силой Н с, равной полю старта необратимого смещения стенок (границ).

В плёнках с преобладающей перпендикулярной анизотропией (фактор качества ) ось лёгкого намагничивания (ОЛН) ориентирована по нормали к поверхности. В таких М. п. образуются круглые цилиндрические магнитные домены (ЦМД), плотная полосовая или лабиринтная доменная структура. В чистых, практически бездефектных плёнках петля гистерезиса очень узкая () и наклонённая. В определённом интервале значений внеш. поля H, приложенного вдоль ОЛН, наблюдаются равновесные ЦМД, к-рые легко передвигаются по плёнке под действием неоднородного магн. поля. Эти подвижные ЦМД в феррит-гранатовых М. п. используются в качестве носителей информации в магн. запоминающих устройствах (ЗУ).

К концу 1980-х годов достигнут значит. прогресс в эксперим. и теоретич исследовании М. п.- их магн. микроструктуры, статики и динамики доменной структуры и структуры междоменных стенок. Обнаружено сильное влияние тонкой структуры стенок ("скрученности", наличия в них т. н. Блоха линий и Блоха точек )на их поведение в импульсном и высокочастотном магн. поле. Присутствие линий Блоха, разделяющих разнопо-лярные участки стенки, во-первых, заметно снижает подвижность стенки из-за дополнит. рассеяния эл.-магн. энергии, а во-вторых, вызывает рост эффективной массы "жёсткой" стенки вследствие накопления кинетич. энергии в линиях Блоха, перемещающихся вдоль движущейся стенки (см. Доменной стенки динамика). Разрабатываются запоминающие устройства со сверхвысокой плотностью записанной информации, в к-рых битом является пара вертикальных линий Блоха, продвигающаяся вдоль замкнутой стенки полосового домена в феррит-гранатовых плёнках.

Тонкие М. п. нашли широкое применение в вычислит. технике и автоматике, в оптоэлектронике и интегр. оптике. На базе М. п. возникла новая отрасль науки и техники - магн. микроэлектроника. Плёночная (интегральная) технология позволяет решать актуальные задачи микроминиатюризации элементной базы и схемотехники ЭВМ.

М. п. пришли на смену таких дискретных магн. элементов логич. и запоминающих устройств, как ферритовые сердечники, трансфлюкторы и пластины с отверстиями. Вместо них было предложено использовать матрицы из пермаллоевых пятен толщиной ~100 нм или цилиндрич. М. п. (бронзовые проволоки, покрытые слоем пермаллоя толщиной ок. 1 мкм) с кольцевыми замкнутыми по окружности магн. доменами.

Созданы т. н. доменные ЗУ, в к-рых элементом памяти является магн. домен с определённой поляризацией спонтанной намагниченности. К ним относятся: устройства на плоских магн. доменах, продвигающихся в низкокоэрцитивных каналах; ЗУ на подвижных ЦМД диаметром ок. 1 мкм, на решётках ЦМД. Помимо записи, продвижения, хранения и считывания цифровой информации доменные устройства на М. п. обеспечивают производство осн. логич. операций (т. е. обработку информации). Твердотельные ЗУ на ЦМД обладают высокой надёжностью, компактностью, энергонезависимостью и малой чувствительностью к неблагоприятным внеш. воздействиям. Огромная информац. плотность и ёмкость ЦМД-микросхем делает их конкурентоспособными с ЗУ на магн. дисках и барабанах.

Др. перспективное направление развития информационно-вычислит. систем состоит в разработке магнитооптич. памяти на М. п. (магнитооптич. диски). Это направление предполагает использование лазеров, записи информации термомагн. способом, а считывание - с помощью магнитооптич. эффектов Керра или Фарадея. В качестве реверсивной среды - носителя информации служат М. п. из соединений типа TR (Т - переходный металл, В - редкоземельный элемент), обеспечивающие высокую плотность записи ( бит/см 2) и надёжное магнитооптич. считывание. Плёнки с высокой магнитооптич. добротностью (напр., Bi-содержащие феррит-гранатовые плёнки) используются в оптич. дефлекторах и модуляторах, вентильных и переключат. устройствах волоконно-оптич. линий связи.

Магнитно-мягкие (пермаллоевые) плёнки используются при создании магнитопроводов, полюсных наконечников с узким зазором в многоканальных интегр. магн. головках для записи и индукц. считывания информации, для магниторезистивного считывания.

В СВЧ-технике М. п. применяются в виде фильтров поглощения и пропускания, фазовращателей и вентилей в интегр. исполнении. В этих устройствах используются такие явления, как ферромагн. резонанс, спин-волновые эффекты и магнитоакустич. колебания.

Лит.: Тонкие ферромагнитные пленки, пер. с нем., М., 1964; Физика тонких плёнок, пер. с англ., т. 1-8, М., 1967-78; Суху Р., Магнитные тонкие пленки, пер. с англ., М., 1967; Колотов О. С., Погожев В. А., Телеснин Р. В., Методы и аппаратура для исследования импульсных свойств тонких магнитных пленок, М., 1970; Ильюшенко Л. Ф., Электролитически осажденные магнитные пленки, Минск, 1972; Палатник Л. С., Фукс М. Я., Косевич В. М., Механизм образования и субструктура конденсированных пленок, М., 1972; Сухвало С. В., Структура и свойства магнитных пленок железо-никель-кобальтовых сплавов, Минск, 1974; Лесник А. Г., Наведенная магнитная анизотропия, К., 1976; Мочалов В. Д., Магнитная микроэлектроника, М., 1977; Балбашов А. М., Червоненкис А. Я., Магнитные материалы для микроэлектроники, М., 1979; Иванов Р. Д., Магнитные металлические пленки в микроэлектронике, М., 1980; Малоземов А., Слонзуски Дж., Доменные стенки в материалах с цилиндрическими магнитными доменами, пер. с англ., М., 1982; Элементы и устройства на цилиндрических магнитных доменах. Справочник, М., 1987. А. Г. Шишков.

Физическая энциклопедия. В 5-ти томах. — М.: Советская энциклопедия. Главный редактор А. М. Прохоров. 1988.

dic.academic.ru

Способ визуализации изображения на ферромагнитной пленке

О П И б — АА- - Н- И-Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 570020

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 16.05.75(21) 2134550/12 (51) М. Кл, 2 (03 С 19/00 с присоединением заявки №

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам нзооретеннй и открытий (23) Приоритет (43) Опубликовано25.08.773юллетень №31 (53) УДК 772.93 (088. 8) (45) Дата опубликования описания 22.09.77 (72) Автор изобретения

И. А. Говор

Институт физики твердого тела и полупроводников

АН Белорусской CCP (71) Заявитель (54) СПОСОБ ВИЗУАЛИЗАЦИИ ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ФЕРРОМАГНИТНОЙ

ПЛЕНКЕ

Изобретение относится к области магнитографии, в частности к способам записи и воспроизведения изображения на ферромагнитных материалах.

Известен способ визуализации изображе« ния на ферромагнитной пленке, заключающий-,: ся в воздействии магнитомягкого порошка на магнитотвердую ферромагнитную пленку, на которой записано изображение в виде участков с различной намагниченностью. те

Под действием остаточной индукции ферромагнитной пленки проявляющий магнитный порошок намагничивается и прилипает к намагниченным участкам пленки. В результате на пленке образуется видимое изобра- 15 жение, которое можно перенести на бумагу (1).

Целью изобретения является получение многократного, одинакового по качеству переноса изображения с ферромагнитной з0 магнитомягкой пленки или слоя на бумагу.

Это достигается тем, что при способе визуализации такого изображения, записанного в виде участков с различной намагниченностью на ферромагнитную пленку или 25 слой, перед воздействием порошка пленку приводят в контакт с пьезоэлектрической подложкой, при этом порошок наносят со стороны последней.

1агнитомягк я ферромагнитная пленка или ферромагнитный слой наносится на пьезоэлектрическую подложку. Изменение магнитного состояния ферромагнитной пленки или слоя при записи изображения связано с изменением размеров последней и возникновением механических напряжений в плен ке или слое. Напряжение в магнитомтягкой пленке1 или слое, передается пьезоэлектрической подложке, В результате на наруж ной стороне пьезоэлектрической подложки возникают заряды различных знаков, соогветствующие растяжению или сжатию ферромагнитной пленки.

Визуализация электростатического изображения на пьезоэлектрической подложке осуществляется воздействием электрически заряженного порошка, который прилипает к участкам с зарядом противоположного знака и отталкивается от участков с одинаковым зарядом. Полученное на пьезоэлек. 70020

Составитель В. Морозов

Редактор А. Бер Техред Н, Андрейчук Корректор С. Шекмар

Заказ 3050/40 Тираж 574 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 трической подложке электростатическое изображение можно с одинаковым качеством многократно переносить HA бумагу, Пример. На ферромагнитный слой арсенида марганца толщиной 100 мкм накле- 5 ивают пьезоэлемент из сегпетокерамики на основе титана бария площадью 0,2т 0,2 мм.

Воздействие световог о импульса с плотностью светового потока 0,1-1 B /cM вызывает фа2 зовый переход арсенида марганца иэ фер- р ромагнитного состояния в парамагнитное.

Объем парамагнитной фазы арсенида марганца, возникающей под действием света, на 2% меньше объема исходной ферромагнит ной фазы, Возникающее в указанном слое l5 напряжение деформирует пьезоэлемент, Величина разности потенциалов, возникающая при фазовом переходе в арсениде марганца, составляет 0,2 В. Этого значения разности потенциалов достаточно дпя визуализации изображения на пьезоэлектрической подложке электрически заряженным порошком.

Использование предлагаемого способа визуализации обеспечивает возможнос ть многократного воспроизведения оригинала с магнитомягкой ферромагнитной пленки на бумагу.

Формула изобретения

Способ визуализации изображения на ферромагнитной пленке путем воздействия на пленку проявляющего порошка, î r л ич а ю шийся тем, что, с цепью получения многократного, одинакового по качест. ву переноса изображения с ферромагнитной пленки или слоя, перед воздействием порош кв пленку приводят в контакт с пьезоэлектрической подложкой, при этом воздействуют на пленку электрически заряженным порош

КоМ со.стороны, пьезоэлектрической подложки, Источники информации, принятые во внимание при экспертизе ..

1. Арутюнов M. Г., Патрунов В. Г..

Феррография - магнитная скоростная печать, М.«Л„"Энергия, 1964.

www.findpatent.ru

Книга: Тонкие ферромагнитные пленки

Предлагаемая читателям монография "Тонкие ферромагнитные пленки", опубликованная в виде ряда статей в журнале "Physica status solidi" в 1961-1962 г., написана известными чехословацкими и немецкими специалистами в области тонких ферромагнитных пленок. Каждая глава снабжена обширной библиографией и многими рисунками. Настоящая монография будет полезна для физиков и инженеров, занимающихся тонкими ферромагнитными пленками. Издательство: "Мир" (1964) Формат: 60x90/16, 360 стр. Купить за 130 руб на Озоне

Другие книги схожей тематики:

См. также в других словарях:

• МАГНИТНАЯ ПЛЕНКА — слой магн. вещества (обычно ферро или ферримагнетика) толщиной от долей нанометра до неск. микрометров с рядом особенностей атомно кристаллич. структуры, магн., электрич. и др. физических свойств, отличающих плёнку от массивных магнетиков. М. п.… …   Физическая энциклопедия

• Магнитная тонкая плёнка —         поли или монокристаллический слой ферромагнитного металла, сплава или магнитного окисла (феррита и др.) толщиной от 0,01 до 10 мкм. М. т. п. находит применение в качестве запоминающих элементов в вычислительной технике (см. Запоминающее… …   Большая советская энциклопедия

dic.academic.ru

ферромагнитная плёнка - это... Что такое ферромагнитная плёнка?

Универсальный русско-английский словарь. Академик.ру. 2011.

• ферромагнитная лента
• ферромагнитная порода

Смотреть что такое "ферромагнитная плёнка" в других словарях:

• ферромагнитная плёнка — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ферромагнитная плёнка —         см. Магнитная тонкая плёнка …   Большая советская энциклопедия

• Ферромагнитная жидкость — на стекле под воздействием магнита под стеклом. Ферромагнитная жидкость (ФМЖ, магнитная жидкость …   Википедия

• Магнитная плёнка-визуализатор — Плёнка показывает магнитные полюса магнита на холодильник. Полюса темнее, края полюсов светлее. Магнитная плёнка визуализатор используется, чтобы показать стационарные, или …   Википедия

• feromagnetinė plėvelė — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• ferromagnetic film — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• ferromagnetischer Film — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• film ferromagnétique — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ферромагнетизм —         одно из магнитных состояний кристаллических, как правило, веществ, характеризуемое параллельной ориентацией магнитных моментов (См. Магнитный момент) атомных носителей магнетизма. Параллельная ориентация магнитных моментов (рис. 1)… …   Большая советская энциклопедия

universal_ru_en.academic.ru

Пленки ферромагнитные - Энциклопедия по машиностроению XXL

Доменная структура тонких ферромагнитных пленок весьма специфична. Характер доменов и границ между ними существенно зависит от толщины пленки. При малой толщине из-за того, что размагничивающий фактор в плоскости пленки на много порядков меньше, чем в направлении нормали к ней, намагниченность располагается параллельно плоскости пленки. В этом случае образования доменов с противоположными направлениями намагничивания по толщине пленки не происходит. Доменная структура в этом случае может быть подобна изображенной на рис. 10.23. В плен-  [c.349]

Рис. 10.23. Домены в тонкой ферромагнитной пленке

В связи с развитием вычислительной, информационной техники й микроэлектроники возникают вопросы, связанные с получением тонких ферромагнитных пленок с определенными магнитными характеристиками При химическом кобальтировании можно получать Со—Р пленки как магнитотвердые с коэрцитивной силой более 8-10 А/м так и магнитомягкие  [c.59]

Рассмотрим теперь тонкую (от долей до нескольких микрометров) ферромагнитную - монокристаллическую пленку с единственной осью легкого намагничивания, направленной перпендикулярно плоскости пленки. Материалом для таких пленок служат обычно одноосные гранаты. Сами пленки выращиваются методом эпитаксии на немагнитных подложках.  [c.313]

Замечательным является то, что для записи информации не нужно продвигать пленку под петлей записи, так как ЦМД можно вывести из под нее и перемещать по пленке. Это можно сделать с помощью, например, вращающегося дополнительного внешнего магнитного поля, направленного вдоль пленки, если на поверхности последней нанести островки специальной формы аппликации) на ферромагнитного материала (обычно пермаллоя), намагничивающегося вдоль пленки (рис. 11.27).  [c.314]

Следует отметить, что из многочисленных методов осаждения ферромагнитных покрытий для изготовления сердечников феррозонда может быть рекомендован метод электрохимического осаждения металлов из солей на катод [47, 48]. Этот метод позволяет 1) без особых трудностей получать покрытия толщиной 5—10 мкм (такая толщина необходима для того, чтобы избавиться от некоторых отрицательных свойств, присущих собственно магнитным пленкам значительно меньшей толщины, а также для обеспечения необходимой анизотропии формы сердечников по отношению к измеряемому полю) 2) наносить покрытия на основы любых форм, в том числе и на наиболее устойчивую к механическим воздействиям трубчатую 3) достигать высокой восприимчивости магнитных свойств покрытий от образца к образцу 4) получать изотропные покрытия с высокими значениями магнитной проницаемости, что крайне желательно при использовании трубчатых сердечников в феррозондах с поперечным возбуждением.  [c.54]

Ti, 4—Си), а вторая и третья цифры—номер эталона. Допускается для маркировки эталонов применять вырезы и отверстия. Гибкие кассеты, заряженные радиографической пленкой и экранами, устанавливаются на ферромагнитных материалах с помощью магнитных держателей типа МД-1 (рис. 35).  [c.55]

При использовании пленочной технологии на подложку наносятся проводящие, диэлектрические, ферромагнитные и резистивные пленки преимущественно способом термического испарения в вакууме. Такими же способами возможно выполнять и активные элементы схемы полупроводниковые диоды и триоды. Конечно, такое производство пока еще очень сложно, требует высокой тщательности и почти полной его автоматизации. Но зато изделия, полученные таким способом, обладают исключительной надежностью.  [c.420]

Прибор ИТП-200. Предназначен для измерения толщины немагнитных гальванических покрытий (хром, цинк, кадмий и др.), а также неметаллических пленок (лаки, эмали и пр.) на изделиях, изготовленных из ферромагнитных материалов.  [c.59]

Ферромагнитный резонанс в тонких пленках Исследование нелинейных эффектов в широком диапазоне частот 20—4000 3,5-10-2 80—600 60—900  [c.184]

Наконец, в тонких ферромагнитных пленках анизотропию магнитных свойств создает поверхность, роль которой для малых объемов становится существенной.  [c.315]

Действие магнитного измерителя толщины основано на измерении с помощью калиброванной пружины силы притяжения магнита к ферромагнитному материалу аппарата, на который нанесено покрытие. Сила притяжения меняется с толщиной лакокрасочной пленки. Зависимость силы притяжения от толщины пленки указана в номограмме, прилагаемой к прибору. Прибор позволяет измерять толщину покрытия, не нарушая его целостности. Диапазон измерений 10—500 мкм.  [c.110]

В работе [ 06] на основании данных исследований методом ферромагнитного резонанса никеля при трении с бронзой сделан вьшод о том, что образовавшаяся на нем пленка в установившемся режиме не имеет строго кристаллического строения, поскольку в данной пленке не увеличивается плотность дислокаций при трении.  [c.62]

Очень большой поворот плоскости поляризации наблюдается в тонких пленках ферромагнитных металлов (железо, никель, тобальт и др.). Пленка железа толщиной 0,1 мкм в поле напряженностью 10 Э поворачивает плоскость поляризации на 2°.  [c.101]

Толщину покрытий определяют магнитными (толщинеметрами ИТП-1, ИТП-5, ИТП-200) и электромагнитными (толщинометрами МТ-10Н, МТ-20Н, МТ-ЗОН, МТ-40НЦ, МТА-2, МТА-ЗН, МИП-10) методами. Принцип действия приборов основан на изменении силы притяжения магнита к ферромагнитной подложке в зависимости от толщины немагнитной пленки.  [c.25]

Железо, кобальт и никель в атмосфере сухого воздуха при температурах до 150—250 °С покрываются защитной оксидной пленкой при дальнейшем нагревании взаимодействуют с кислородом, серой, фосфором, углеродом. Коррозионная стойкость этих металлов существенно улучшается после очистки от примесей. Эти металлы, особенно железо, ферромагнитны высокими магнитными свойствами обладают металлиды кобальта.  [c.145]

Покрытие Со — Мо — Р Для осаждения Со — Мо — Р-пле-нок применялся раствор, содержащий (г/л) хлористый кобальт 25—30. молибденовокисдый аммоний 0 005—0,01, лимоннокислый натрий 80—100 гипофосфит натрия 15—20 хлористый аммоний 40— 50 аммиак (25 % ный) до pH 9—9 5 температура 90 °С Этот сплав рекомендуется использовать как ферромагнитный материал  [c.73]

Пластмассы 65, 66, 210, 211, 215, 219, 223 Пленки диэлектрические 420 масляные 68 окисные 152, 158 полимерные 211 проводящие 420 ферромагнитные 386, 420 Пневмоника 259 Повинол 221 Подшипники качения 66, 167, 215 роликовые 63 скольжения 31, 53, 62, 214 упорные 64, 69, 70 шариковые 64, 167, 168 Поковки 24,112 Полиамид 65, 220  [c.436]

Ультразвуковой паяльник (рис. 221) имеет рабочий наконечник /, который электрической обмоткой 2 нагревается до требуемой температуры. Ферромагнитный стержень 3, имеющий свою обмотку возбуждения 4, питаемую от высокочастотного генератора 5, сообщает рабочему наконечнику колебательные движения. От колебательных движений наконечника в расплавленном припое 6 возникает явление кавитации, вызывающее разрушение окисиой пленки 7 на поверхностях деталей, соединяемых пайкой.  [c.278]

Толщиномер магнитный ИТП-1 или ИТ-60, который представляет o6ofi пружинный магнитный динамометр. Принцип действия его основан на изменении силы притяжения магнита к ферромагнитному основанию покрытия в зависимости от толщины немагнитной пленки.  [c.364]

Способ ориентации ферромагнитных частиц в магнитном поле находит применение в производстве магнитных сердечников с целью повышения их коэрцитивной силы [Л. 123], для изготовления пигментированных декоративных лаковых пленок [Л. 124], при получении электропроводящих полимерных материалов [Л. 125]. Электронно-микроскопические исследования структур, образованных коллоидными дендритными частицами а-железа в сильных и слабых магнитных полях, по1 азали [Л. 126], что  [c.210]

При прохождении воды через магнитный аппарат ферромагнитные окислы железа, обычно присутствующие в воде в коллоидном состоянии, коагулируют, частично задерживаются в межполюсном пространстве аппарата, а остальные, более крупные агломераты, увлекаются потоком воды. Поэтому после магнитного аппарата концентрация окислов железа в воде и их влияние на поры мембраны снижаются, благодаря чему проницаемость воды сквозь пленку повышается и скорость подъема ее в трубке осмо-  [c.91]

Магнитные схемы создаются на основе формирования тонких ферромагнитных пленок для обеспечения быстродействия запоминающих устройств и логических элементов вычидлительных мацдан,  [c.353]

Полость А через отверстие в крышке заполняется магнитной жидкостью (концентрированный коллоидный раствор мельчайших ферромагнитных частиц в воде или органических растворителях). Под давлением жидкости пленка деформируется и отрывае-  [c.78]

Анализ спонтанной намагниченности наночастиц, выполненный в [347] в приближении молекулярного поля, показал наличие размерной зависимости температуры Кюри. Согласно [347], понижение температуры Кюри становится заметно для частиц с размером J методом Монте-Карло [348] следует, что из-за отсутствия в них явно выраженного магнитного перехода нельзя говорить о каком-либо смещении температуры Кюри в зависимости от размера частиц. Действительно, переход наночастиц из суперпарамагнитного состояния в парамагнитное происходит плавно, без явно видимой резкой точки магнитного превращения. Измерения температуры Кюри наночастиц Ni d = = 2,1—6,8 нм) [349], намагниченности насыщения и температуры Кюри пленок Fe толщиной >1,5 нм [350], намагниченности насыщения наночастиц Fe d - 1,5 нм) [351] и Со (t/ = 0,8 нм) [352] показали, что эти величины в пределах погрешности измерений совпадают с таковыми для массивных металлов. Согласно [10, И], температура Кюри ферромагнитных частиц при уменьшении их размера до 2 нм не отличается от массивных металлов. Однако в [353] обнаружено понижение на 7 и 12 % для наночастиц Ni диаметром 6,0 и 4,8 нм соответственно. Следует отметить, что явление суперпарамагнетизма существенно затрудняет исследование размерных зависимостей коэрцитивной силы, намагниченности насыщения и температуры Кюри ферромагнитных наночастиц.  [c.99]

К параметрам, характеризующим структуру магнитодиэлектрика, относят коэффициент объемного заполнения ферромагнитной фазой Рф, общую поверхность частиц ферромагнетика 5ф, среднюю толщину прослоек между частицами Ь (толщину диэлектрической пленки), объемную концентрацию диэлектрической фазыРд.  [c.218]

Интересный в теоретическом и практическом отношении гигантский магниторезистивный эффект был обнаружен при исследовании многослойных пленок (сверхрешеток), состоящих из чередующихся нанотолщинных слоев ферромагнитного и немагнитного материала (типа Ре/Сг, Со/Си, К1/А и др.), а также порошковых нанокомпозиций такого состава. При наложении магнитного поля к этим наноматериалам наблюдается значительное уменьшение электросопротивления по сравнению с однородными аналогичными материалами.  [c.77]

На рис. 3.21 показаны схемы антиферромагнитного а) и ферромагнитного б) упорядочения в магнитных сверхрешетках, а также зависимость магнитосопротивления от толщины хромового слоя в пленке Ре —Сг (в). Считается, что в случае параллельного антиферромагнитного упорядочения рассеяние носителей на магнитных моментах, направленных вдоль магнитного поля, существенно уменьшается, что и сказывается на значительном уменьшении электросопротивления. Второй небольшой максимум на кривой (см. рис. 3.21, в) связан с осциллирующим характером изменения обменной энергии в зависимости от толщины немагнитного объекта.  [c.77]

Рис. 3.21. Схемы антиферромагнитного (антипараллельного) (а) и ферромагнитного (параллельного) (б) упорядочения в магнитных сверхрешетках влияние толщины слоя хрома на магнитосопротивление (в) многослойных пленок Ре —Сг толщиной 1,1 нм при температуре 5 К [21]

Ферромагнетизм наблюдается в Зй -переходных металлах (железе, кобальте, никеле), в гадолинии и некоторых других редкоземельных металлах а также в сплавах на их основе и интер-металлидах. Ферримагнетики — это сложные оксиды, содержащие ферромагнитные элементы. Так как все перечисленные вещества являются кристаллическими, можно было бы предположить, что для параллельного упорядочения магнитных моментов необходимо наличие регулярного расположения атомов. Однако в 1947 г. Бреннер [1] наблюдал явление ферромагнетизма в полученной электролитическим осаждением аморфной пленке Со — Р. Позже Губанов [2] теоретически показал, что для упорядоченности магнитных моментов регулярность и симметрия атомных конфигураций необяза-  [c.122]

Катрич и Мирошниченко [1017] применили фотоэлектронную спектроскопию для исследования образования энергетической зонной структуры в частицах островковой пленки Ni. Они обнаружили две группы фотоэлектронов с разной поляризацией спинов, характеризуемые различной проницаемостью потенциальных барьеров при одинаковой кинетической энергии. Эти группы сохранялись при уменьшении размера частиц до Z) — 30 40 А. Однако при D 12 ч- 20 А происходило резкое изменение фотоэлектронного спектра, возможно связанное, по мнению авторов, с переходом ферромагнитных частиц в парамагнитное состояние.  [c.314]

Интересную нестабильность магнитного поведения демонстрируют тонкие пленки y-Fe, эпитаксиально выращенные на разных гранях монокристалла меди [1074]. Так, эпитаксиальные пленки y-Fe на u(llO) и u(lll) являются ферромагнитными, а на u(lOO) — антиферромагнитными. Чтобы показать зависимость магнетизма пленки от ее растяжения, Градман и Исберт [1074] эпитаксиально выращивали ГЦК-пленку y-Fe (111) толщиной в 2—3 атомных слоя на подложке из сплава ui- Au (111) переменного состава, параметр решетки которого возрастает по правилу Вегарда с увеличением концентрации золота. В результате пленки изменяли свое состояние от слабого ферромагнетизма (0,6 Хв/атом), когда они приготавливались на u(lll), к сильному ферромагнетизму (2,6 Хв/атом) при выращивании в растянутом состоянии на подложке Си— (14 ат. %) Аи. Для двух- и трехслойных пленок температура Кюри Гк соответственно равнялась 300+50 и 420 60 К. Трехслойные пленки, возможно, были островковыми.  [c.322]

mash-xxl.info

Ферромагнитная плёнка. Большая советская энциклопедия. понятие

         У металлических М. т. п. толщиной Магнитная тонкая плёнка 0,1 мкм намагниченность однородна по толщине и ориентируется в их плоскости.

         Важным свойством М. т. п., применяемых в вычислительной технике, является быстрота их перемагничивания. Пермаллоевые М. г. п. способны в импульсных полях Магнитная тонкая плёнка 10 а/см перемагничиваться за 10-9 сек (быстрее других магнитных материалов), скорость перемагничивания здесь уже частично ограничена инерционными свойствами элементарных носителей магнитного момента (Спинов).

         У металлических М. т. п. толщиной Магнитная тонкая плёнка 10 мкм получено особое периодическое распределение намагниченности с частичным её выходом из плоскости плёнки — полосовая доменная структура. Поле, необходимое для её перестройки, составляет у пермаллоевых плёнок 10—100 а/см и уменьшается при нагреве, в частности, световым лучом. М. т. п. из сплава Mn — Bi намагничиваются по нормали к поверхности, диаметр независимо намагничиваемых участков может быть снижен до 1 мкм. Плёнки и более толстые слои окислов редкоземельных металлов прозрачны для видимого света, что важно для изучения процессов их намагничивания и технических применений.

         Лит.: Суху Р., Магнитные тонкие пленки, перевод с английского, М., 1967; Бардиж В. В., Магнитные элементы цифровых вычислительных машин, М., 1967; Физика магнитных плёнок, Иркутск, 1968; Колотов О. С., Погожев В. А., Телеснин Р. В., Методы и аппаратура для исследования импульсных свойств тонких магнитных пленок, М., 1970; Фотографирование на магнитные плёнки, М., 1971; «Известия АН СССР, Серия физика», 1972, т. 36, № 7; Крайзмер Л. П., Быстродействующие ферромагнитные запоминающие устройства, М. — Л., 1964; «Institute of Electrical Electronics Engineers. Transactions on Magnet», 1965—72, v. 1—8.

         К. М. Поливанов, А. Л. Фрумкин.

slovare.coolreferat.com

• 
  Орр пленка
• 
  Пленки факро
• 
  Пленка zagg
• 
  Пленка децефикс
• 
  Ферромагнитная пленка
• 
  Армор пленки
• 
  Юсб пленки
• 
  Пленка фуджифильм
• 
  Пленки урала
• 
  Пленка invisible
• 
  Пленка скорпио